时间：2025/6/4 0:32:59
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STP14NF10FP是由意法半导体（STMicroelectronics）制造的N沟道增强型MOSFET。该器件采用TO-263封装形式，适用于多种开关和功率转换应用。其耐压为100V，最大持续漏极电流可达14A，具有较低的导通电阻，适合高效率、高频开关电路设计。
STP14NF10FP广泛应用于电源管理、电机驱动、负载切换以及工业控制等领域。得益于其出色的电气特性和散热性能，它在各种严苛的工作环境下都能表现出稳定的性能。
最大漏源电压(Vds)：100V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：14A
导通电阻(Rds(on))：90mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：75W
结温范围(Tj)：-55℃至+150℃
封装形式：TO-263
STP14NF10FP具有低导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
其快速开关特性使其非常适合高频应用。
该器件具备良好的热稳定性和电气鲁棒性，能够承受一定的过载条件。
由于采用了TO-263封装，其散热性能优异，便于安装和使用。
此外，STP14NF10FP符合RoHS标准，满足环保要求。
STP14NF10FP广泛用于直流-直流转换器、开关电源、电池保护电路、电机控制、逆变器等场景。
它可以作为高效开关元件应用于汽车电子、消费电子及工业自动化领域。
在负载切换应用中，该MOSFET可提供可靠的接通与断开功能。
另外，它也常被用作功率级器件来实现精确的功率调节和分配。
IRFZ44N
AO3400
FDP14N10
STP16NF06L
