Q2015R5 时间：2025/12/26 23:04:25 阅读：6

Q2015R5是一款由Vishay Siliconix公司生产的表面贴装N沟道MOSFET，采用先进的TrenchFET?技术制造，具有低导通电阻和高开关性能的特点。该器件主要用于电源管理应用中，特别是在需要高效能、小尺寸和低功耗的便携式电子产品中表现出色。Q2015R5的封装形式为双面散热的PowerPAK? SC-70（SOT-363）封装，有助于提高热性能并节省PCB空间。这款MOSFET广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理电路以及手持设备中的电源控制模块。其设计优化了栅极电荷和输出电容，从而降低了开关损耗，提升了整体系统效率。此外，Q2015R5符合RoHS环保标准，并具备良好的可靠性和稳定性，适用于工业、消费类电子及通信设备等多种场景。器件在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，适合在紧凑型高密度电路板上使用。由于其优异的电气特性和小型化封装，Q2015R5成为许多现代低电压功率开关应用的理想选择之一。

参数

型号：Q2015R5
　　制造商：Vishay Siliconix
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：20 V
　　最大连续漏极电流（ID）：2.8 A（在70°C时）
　　导通电阻RDS(on)：55 mΩ（在VGS = 4.5 V时）
　　导通电阻RDS(on)：75 mΩ（在VGS = 2.5 V时）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：0.6 V 至 1.2 V
　　栅极电荷（Qg）：典型值为 3.5 nC（在VGS = 4.5 V时）
　　输入电容（Ciss）：约 390 pF（在VDS = 10 V时）
　　功率耗散（PD）：1.5 W（在TA = 25°C时）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：PowerPAK SC-70（SOT-363）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　通道数：单通道

特性

Q2015R5采用Vishay先进的TrenchFET?技术，这种技术通过优化硅基结构实现了极低的导通电阻与高效的载流子迁移率，显著提升了器件的功率处理能力与能效表现。其核心优势在于在低电压应用中提供出色的开关性能和极低的导通损耗，尤其适合用于电池供电设备中对能效要求严苛的场合。该MOSFET在VGS = 4.5V时的典型RDS(on)仅为55mΩ，在VGS = 2.5V时也仅为75mΩ，表明其在低压驱动条件下依然具备良好的导通能力，兼容现代低电压逻辑信号直接驱动，无需额外的电平转换电路。
　　器件的栅极电荷（Qg）非常低，典型值仅为3.5nC，这意味着在高频开关应用中可以大幅降低驱动损耗和总开关损耗，从而提升电源系统的整体效率。同时，较低的输入电容（Ciss ≈ 390pF）也有助于减少高频下的动态功耗，使得Q2015R5非常适合用于DC-DC降压变换器、同步整流器等高频开关电路中。其PowerPAK SC-70封装不仅体积小巧（占位面积小），还具备优异的热传导性能，支持双面散热设计，有效延长器件寿命并增强系统可靠性。
　　Q2015R5的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，确保其在极端环境条件下仍能稳定运行，适用于各种工业级和汽车级应用场景。此外，该器件具有良好的抗雪崩能力和静电放电（ESD）保护特性，增强了在瞬态过压和异常工况下的鲁棒性。所有这些特性共同使Q2015R5成为高性能、小尺寸、高可靠性电源开关解决方案中的优选器件。

应用

Q2015R5广泛应用于各类低电压、高效率的电源管理系统中。在便携式电子设备如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和蓝牙耳机中，它常被用作负载开关或电源路径控制器，实现对不同功能模块的上电/断电管理，以降低待机功耗并延长电池续航时间。在同步整流型DC-DC转换器中，Q2015R5凭借其低RDS(on)和快速开关特性，能够有效减少导通损耗和开关损耗，提升转换效率，特别适用于12V转3.3V或5V的小功率降压电路。
　　此外，该器件也适用于电池保护电路和充电管理模块，作为充放电通路的主控开关，防止过流、短路和反向电流。在电机驱动和LED驱动电路中，Q2015R5可用于实现精确的电流控制和PWM调光功能。其小型化的SOT-363封装使其非常适合高密度PCB布局，广泛用于空间受限的嵌入式系统和物联网终端设备中。
　　工业控制领域中，Q2015R5可用于传感器电源开关、继电器驱动和隔离电源的通断控制。由于其具备良好的温度稳定性和长期可靠性，也可用于车载信息娱乐系统、远程无钥匙进入系统等汽车电子模块中。总之，凡是需要高效、小型、低压N沟道MOSFET的应用场景，Q2015R5都是一个极具竞争力的选择。