时间：2025/8/20 18:13:52
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TCP0G686K8R 是一款由东芝（Toshiba）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），通常用于电源管理和功率转换应用。这款MOSFET具有高耐压和低导通电阻的特性，适用于高效率的电源设计。
类型：功率MOSFET
沟道类型：N沟道
最大漏源电压（Vds）：600V
最大漏极电流（Id）：8A
导通电阻（Rds(on)）：0.68Ω
封装类型：TO-220
工作温度范围：-55°C至150°C
TCP0G686K8R MOSFET具有低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高效率。它的高耐压能力使其适用于各种高电压应用。此外，该器件的封装设计有助于有效的散热，确保在高功率操作下的稳定性。
这款MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，通常为10V至20V，确保了灵活的驱动条件。其快速开关特性也有助于提高电源转换效率，减少开关损耗。此外，TCP0G686K8R具备良好的热稳定性和可靠性，适合长时间运行的工业应用。
TCP0G686K8R MOSFET广泛应用于电源供应器、DC-DC转换器、电机控制器、电池管理系统以及各种需要高效功率控制的电子设备。它特别适合用于高电压和中等电流的场合，如工业自动化设备、消费电子产品和通信设备中的电源管理部分。
TK15A60D, IRF840, FQA8N60C
