TCP0G686K8R 是一款由东芝(Toshiba)制造的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),通常用于电源管理和功率转换应用。这款MOSFET具有高耐压和低导通电阻的特性,适用于高效率的电源设计。
类型:功率MOSFET
沟道类型:N沟道
最大漏源电压(Vds):600V
最大漏极电流(Id):8A
导通电阻(Rds(on)):0.68Ω
封装类型:TO-220
工作温度范围:-55°C至150°C
TCP0G686K8R MOSFET具有低导通电阻,这有助于减少功率损耗并提高效率。它的高耐压能力使其适用于各种高电压应用。此外,该器件的封装设计有助于有效的散热,确保在高功率操作下的稳定性。
这款MOSFET的栅极驱动电压范围较宽,通常为10V至20V,确保了灵活的驱动条件。其快速开关特性也有助于提高电源转换效率,减少开关损耗。此外,TCP0G686K8R具备良好的热稳定性和可靠性,适合长时间运行的工业应用。
TCP0G686K8R MOSFET广泛应用于电源供应器、DC-DC转换器、电机控制器、电池管理系统以及各种需要高效功率控制的电子设备。它特别适合用于高电压和中等电流的场合,如工业自动化设备、消费电子产品和通信设备中的电源管理部分。
TK15A60D, IRF840, FQA8N60C