7122-4123-30是一种高性能的功率MOSFET芯片,主要用于高效率电源转换和电机驱动应用。该芯片采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。
它适用于多种工业和消费类电子设备,如开关电源、逆变器、电动工具等,能够在高压环境下提供稳定可靠的性能。
型号:7122-4123-30
类型:N沟道功率MOSFET
最大漏源电压(Vds):650V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):12A
导通电阻(Rds(on)):0.2Ω
总功耗(Ptot):180W
结温范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-247
7122-4123-30具备以下关键特性:
1. 高效的功率转换能力,得益于其低导通电阻设计,能够显著降低功率损耗。
2. 快速开关性能,适合高频开关应用。
3. 出色的热稳定性,能够承受较高的工作温度,确保在恶劣环境下的可靠性。
4. 内置保护功能,如过流保护和过温保护,提高系统的安全性。
5. 紧凑的封装设计,便于集成到各种电路板中。
7122-4123-30广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS),用于高效能量转换。
2. 逆变器系统,为可再生能源应用提供支持。
3. 电动工具驱动,提升电机控制的精度与效率。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 汽车电子中的辅助电源系统。
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