型号：Q2004D3RP
　　制造商：Diodes Incorporated
　　晶体管类型：N沟道
　　漏源电压VDS：40V
　　连续漏极电流ID：170A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流IDM：680A
　　栅源电压VGS：±20V
　　导通电阻RDS(on)：典型值2.3mΩ（@ VGS=10V）；最大值2.8mθ（@ VGS=10V）
　　阈值电压VGS(th)：典型值1.8V（@ ID=250μA）
　　输入电容Ciss：典型值10500pF（@ VDS=20V）
　　输出电容Coss：典型值1100pF（@ VDS=20V）
　　反向恢复时间trr：典型值24ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +175°C
　　封装：TO-252 (DPAK)
　　安装类型：表面贴装

Q2004D3RP采用先进的沟槽式场效应晶体管工艺，显著降低了导通电阻RDS(on)，同时保持了快速的开关速度，使其在高频开关电源应用中表现出色。其超低的2.8mΩ最大导通电阻确保在大电流条件下仍能维持较低的导通损耗，有效提升系统整体效率。该器件的高电流承载能力——连续漏极电流可达170A，使其适用于需要瞬时大电流输出的场合，例如电动工具驱动电路或大功率LED驱动模块。得益于优化的栅极设计，Q2004D3RP具备较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qsw），这不仅减少了驱动电路的能量消耗，还加快了开关过渡过程，降低了开关损耗，特别适合用于同步整流和高频DC-DC变换器拓扑结构。
　　该MOSFET具有出色的热稳定性，TO-252封装提供了较大的散热焊盘，可通过PCB铜箔进行有效散热，增强了器件在持续负载下的可靠性。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+175°C）使得Q2004D3RP可在严苛环境条件下稳定运行，包括高温工业设备和汽车电子系统。此外，器件内置的体二极管具有较快的反向恢复特性（trr约24ns），有助于减少在感性负载切换过程中产生的电压尖峰和电磁干扰（EMI）。该体二极管的额定连续反向电流IF达170A，进一步增强了其在桥式电路中的适用性。
　　Q2004D3RP还具备良好的抗雪崩能力和坚固的栅氧化层设计，能够承受一定程度的电压应力和瞬态过载，提高了系统的鲁棒性。其符合RoHS指令且不含卤素，满足现代绿色电子产品对环保材料的要求。由于其高性能参数和可靠的设计，该器件广泛应用于服务器电源、电信设备电源模块、电池管理系统（BMS）、电动自行车控制器以及其他高密度功率转换系统中。

Q2004D3RP广泛应用于各类高效能电源管理系统中，尤其适用于需要低导通电阻和高电流处理能力的场景。典型应用包括同步降压转换器中的主开关管或整流管，用于数据中心服务器电源、笔记本电脑适配器及多相VRM（电压调节模块）设计。在电池供电设备中，该器件可用于电池保护电路中的充放电控制开关，因其低RDS(on)可减少能量损耗并延长续航时间。此外，在电机驱动领域，Q2004D3RP可用于H桥电路中的低端或高端开关元件，驱动直流有刷电机或步进电机，适用于电动工具、家用电器和小型机器人控制系统。
　　在DC-DC升压或SEPIC/ZETA等非隔离拓扑中，该MOSFET可用作主功率开关，实现高效的电压变换。其快速开关特性和低栅极驱动需求也使其成为便携式电子设备中负载开关的理想选择，例如智能手机和平板电脑中的电源路径管理。在工业自动化系统中，Q2004D3RP可用于PLC输出模块、继电器替代方案或数字输出卡的驱动级，提供固态开关的高可靠性和长寿命优势。此外，该器件还可用于太阳能充电控制器、UPS不间断电源以及LED照明驱动电源中，作为关键的功率切换元件。凭借其优良的热性能和紧凑的封装尺寸，Q2004D3RP在空间受限但要求高功率密度的设计中展现出显著优势。

BSC023N04LS
　　IRL7833PBF
　　FDMC86148