IDT71256A20Y 是由 Integrated Device Technology (IDT) 生产的一款高速静态随机存取存储器 (SRAM),属于 IDT71V256 系列。这款芯片采用 CMOS 技术,提供高密度的存储解决方案,适用于需要快速数据访问和低功耗的应用场景。
该器件具有 256K x 18 的存储容量,支持同步突发模式操作,并且可以通过预取功能实现高效的数据传输。其出色的性能使其成为工业控制、通信设备和高性能计算等领域的理想选择。
存储容量:256K x 18位
工作电压:1.8V ± 0.1V
访问时间:10ns 典型值
数据保留时间:无限期
接口类型:同步
封装形式:TQFP-100
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
引脚数:100
功耗:低功耗 CMOS 技术
IDT71256A20Y 提供了多种先进特性以满足高性能应用的需求:
1. 高速操作:支持 10ns 的典型访问时间,确保快速数据处理能力。
2. 同步突发模式:通过内置的突发逻辑,可以显著提高连续数据传输效率。
3. 自动掉电功能:在未选中时自动进入低功耗模式,有助于延长系统电池寿命。
4. 内置自检功能:简化测试流程,减少生产成本。
5. 工业级温度范围:能够在 -40°C 至 +85°C 的环境中稳定运行,适合各种恶劣条件下的应用。
6. 高可靠性:经过严格的质量检测,确保长期使用的稳定性。
IDT71256A20Y 广泛应用于以下领域:
1. 工业自动化:为复杂的控制系统提供可靠的数据存储和快速访问。
2. 通信设备:如路由器、交换机等需要高速缓存的场合。
3. 医疗电子:用于成像设备和诊断仪器中的数据缓冲。
4. 汽车电子:支持车载信息娱乐系统和导航设备的高效运行。
5. 嵌入式系统:作为主处理器的外部存储扩展,提升整体性能。
IDT71V256A20Y
IDT71256B20Y
IDT71V256B20Y