额定集电极-发射极电压（VCES）：1200V
　　额定集电极电流（IC）：250A
　　最大工作温度：150°C
　　导通压降（VCE_sat）：约2.1V（典型值）
　　短路耐受能力：20μs @ 150°C, 1200V DC
　　热阻（Rth）：0.28 K/W（模块至散热器）
　　封装类型：SEMiX3模块封装
　　拓扑结构：半桥结构
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　绝缘等级：符合UL认证，工作绝缘电压1200V AC

SEMIX253GB126HD具备出色的导通和开关性能，其采用的IGBT4芯片技术提供了更低的开关损耗和更高的导通效率。模块内部采用双金属层设计，增强了热循环稳定性，延长了模块的使用寿命。此外，该模块具有良好的短路保护能力，可在极端工况下维持稳定运行，提升了系统的可靠性。
　　该模块还具备低电感设计，减少了在高频率开关过程中的电压尖峰，提高了系统的稳定性。其封装结构紧凑，支持快速安装和良好的散热性能，适合高功率密度的应用场景。此外，模块内部集成了NTC温度传感器，便于实时监控模块温度，确保系统安全运行。
　　SEMIX253GB126HD还具有优异的抗湿热、抗腐蚀能力，适用于各种恶劣工业环境。其符合RoHS环保标准，适用于绿色电子设备设计。

SEMIX253GB126HD广泛应用于需要高功率密度和高可靠性的电力电子系统中。主要应用领域包括工业变频器、伺服驱动器、电动汽车充电设备、太阳能逆变器、风力发电变流器、UPS不间断电源、焊接设备以及电能质量调节系统。该模块的高性能特性使其成为中高功率开关应用的理想选择。

SEMIX253GB126HS、SEMIX253GB126HD_S139、SKM250GB126D、FS250R12W1T7_B11