PZU3.9B1A,115 是一款由 NXP Semiconductors 生产的齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压调节和过压保护应用。该器件具有3.9V的标称齐纳电压,适用于低功率电子电路中作为基准电压源或保护元件。PZU3.9B1A,115 采用小型SOD123表面贴装封装,适合用于空间受限的电路设计。
齐纳电压:3.9V
齐纳电流:200μA
最大耗散功率:300mW
最大反向漏电流:100nA(在1V下)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:SOD123
PZU3.9B1A,115 的主要特性之一是其稳定的齐纳电压调节性能,能够在广泛的温度范围内保持精确的电压参考。该器件的低齐纳电流(200μA)允许其在低功耗电路中使用,而不会显著影响电路的工作状态。
此外,PZU3.9B1A,115 具有较低的动态电阻,确保在负载变化时仍能维持稳定的电压输出。其SOD123封装形式不仅节省空间,还提供了良好的热性能和机械稳定性,适合用于自动化装配流程。
该齐纳二极管还具备较高的可靠性,适用于需要长期稳定工作的电子设备,例如电源管理模块、传感器电路、以及便携式电子产品中的电压基准电路。
PZU3.9B1A,115 主要应用于需要电压调节或电压参考的电路中。例如,在电源电路中作为参考电压源,确保输出电压的稳定性;在微控制器或模拟电路中提供精确的基准电压;以及在电池供电设备中用于电压监测和保护功能。
此外,该器件也常用于信号调节电路中,作为限幅或钳位元件,防止电压波动对后续电路造成损害。其表面贴装封装形式使其非常适合用于消费电子、汽车电子、工业控制和通信设备等各类电子系统中。
BZX84-C3V9, ZMM39, 1N4732A