类型：P沟道
　　极性：MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：18 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：72 A
　　导通电阻（RDS(on)）@4.5V VGS：6.5 mΩ
　　导通电阻（RDS(on)) @2.5V VGS：8.5 mΩ
　　栅极电荷（Qg）@10V：13 nC
　　输入电容（Ciss）：1300 pF
　　开启延迟时间（td(on)）：10 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：25 ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装/外壳：PG-TSDSON-8 (LFPAK)
　　安装类型：表面贴装
　　通道数：1
　　阈值电压（Vth）：1.2 V 至 2.0 V

IRF9395M采用Infineon先进的沟槽栅极MOSFET技术，显著降低了导通损耗和开关损耗。其低RDS(on)特性使得在大电流应用中能够有效减少功率损耗，提高系统整体效率。该器件在4.5V VGS下的典型导通电阻仅为6.5mΩ，在2.5V VGS时仍可保持8.5mΩ的低阻值，表明其具备良好的低压驱动能力，适用于由3.3V或5V逻辑信号直接驱动的场合。这种低电压驱动特性使其非常适合与现代微控制器或PWM控制器配合使用，无需额外的电平转换电路。
　　该器件具有较低的栅极电荷（Qg = 13nC @10V），有助于减少驱动功耗并加快开关速度，从而提升高频开关应用中的能效。同时，其输入电容为1300pF，确保了在高速切换过程中不会引入过多的动态损耗。开启延迟时间为10ns，关断延迟时间为25ns，展现出快速响应的能力，适合用于高频DC-DC变换器和同步整流拓扑中。
　　IRF9395M采用PG-TSDSON-8（LFPAK）封装，该封装具有优异的热传导性能，底部暴露的焊盘可以直接连接到PCB上的大面积铜箔，实现高效的散热。相比传统DPAK或SO-8封装，LFPAK体积更小，节省PCB空间，同时通过优化内部引线结构减少了寄生电感，提升了器件在高di/dt环境下的稳定性。此外，该封装支持回流焊工艺，便于自动化生产。
　　该MOSFET的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，可在严苛的环境条件下稳定运行，适用于工业级和汽车级应用场景。其阈值电压范围为1.2V至2.0V，保证了器件在不同温度和制造偏差下的可靠开启。内置的体二极管具有一定的反向恢复能力，但在高频应用中建议避免持续导通以减少损耗。

IRF9395M广泛应用于各类中低电压电源管理系统中。常见用途包括同步整流型DC-DC降压或升压转换器，其中作为高端或低端开关使用，尤其在多相供电架构中发挥重要作用。它也常用于电池供电设备中的电源路径管理，如笔记本电脑、平板电脑和便携式仪器的电池保护电路。在电机驱动应用中，可用于H桥电路中的P沟道上桥臂开关，实现简单的推挽控制。此外，该器件适用于负载开关电路，用于控制电源域的通断，防止浪涌电流。在工业控制系统、LED驱动电源和通信电源模块中也有广泛应用。由于其良好的热性能和紧凑尺寸，特别适合高密度PCB布局的设计需求。

IPD9395PBF