UMK212ABJ225KG-T 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等应用领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高效率的特点,能够在高频工作条件下保持稳定的性能表现。
该型号中的各个字母和数字代表了不同的特性参数,例如封装类型、电压等级、电流能力以及特定的工作环境要求等。它能够承受较高的电压,并在大电流情况下维持较低的功耗。
最大漏源电压:200V
连续漏极电流:30A
导通电阻:4.5mΩ
栅极电荷:90nC
总电容:1200pF
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
1. 采用沟槽式 MOSFET 结构设计,具备更低的导通电阻和更高的效率。
2. 内置快速恢复二极管,支持高效的同步整流操作。
3. 高频性能优越,适用于复杂电路环境下的高速开关需求。
4. 具备优异的热稳定性和抗干扰能力,确保长时间可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准,环保且适合各种工业及消费类电子产品使用。
6. 支持表面贴装技术(SMD),便于自动化生产和提高装配效率。
1. 开关电源(SMPS)
2. 电机驱动控制器
3. DC-DC 转换模块
4. 逆变器与 UPS 系统
5. 工业自动化设备中的功率管理单元
6. 电动汽车电池管理系统(BMS)
7. 太阳能逆变器及其他可再生能源相关产品
UMK212ABJ225KG-P, IRF212N, FDP18N20E