PZU3.6B1A,115是一种由NXP Semiconductors生产的齐纳二极管(Zener Diode),广泛用于电压参考和稳压电路中。该器件具有3.6V的齐纳电压,额定功率为300mW,适用于低功耗、高稳定性的应用场景。
类型:齐纳二极管
齐纳电压:3.6V
最大耗散功率:300mW
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装形式:SOD123
最大正向电流:100mA
最大反向漏电流:100nA(在1V反向电压下)
PZU3.6B1A,115齐纳二极管采用了先进的硅平面技术,确保了稳定的电压特性和良好的温度稳定性。该器件具有较低的动态阻抗,有助于在负载变化时保持输出电压的稳定性。此外,PZU3.6B1A,115的封装形式为SOD123,是一种小型表面贴装封装,适用于自动贴片工艺,提高了生产效率。
该齐纳二极管在反向击穿状态下工作,能够提供稳定的参考电压,广泛用于电源管理电路、电压检测电路以及信号调节电路中。由于其低泄漏电流特性,PZU3.6B1A,115也适用于高精度模拟电路中的电压基准应用。
此外,PZU3.6B1A,115具有良好的热稳定性和机械强度,能够在恶劣的工业环境中可靠运行。其宽工作温度范围使其适用于各种环境条件下的电子设备,如工业控制、通信设备和消费类电子产品。
PZU3.6B1A,115适用于多种电子电路中的电压参考和稳压功能,包括开关电源、DC-DC转换器、电池管理系统、电压监测电路以及模拟信号调理电路。它也可用于保护电路中的过压保护功能,确保关键电路组件在异常电压条件下不受损坏。由于其低功耗和高稳定性,该器件广泛应用于便携式电子产品、工业自动化设备以及汽车电子系统。
BZX84C3V6,115; MMSZ4680T1G; 1N4728A-T