类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极-源极电压 (Vds)：200V
　　最大栅极-源极电压 (Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流 (Id)：13A（在 Tc=25℃）
　　最大脉冲漏极电流 (Idm)：52A（受限于温度）
　　导通电阻 (Rds(on))：0.25Ω（典型值）
　　功耗 (Ptot)：100W
　　工作温度范围：-55℃ 至 150℃
　　封装类型：TO-220
　　晶体管配置：单

PZ427V4 功率 MOSFET 具备多项优良特性，适用于各种功率电子应用。其主要特点之一是低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高整体效率。此外，该器件支持高达 200V 的漏极-源极电压，在高压系统中具有良好的稳定性和可靠性。
　　该 MOSFET 的最大连续漏极电流为 13A，在脉冲条件下可支持高达 52A 的电流，适用于需要高瞬时电流的应用场景。其 ±20V 的栅极-源极电压容限提供了更宽的驱动电压范围，增强了与不同驱动电路的兼容性。
　　该器件的 TO-220 封装形式具备良好的热管理和机械稳定性，适用于多种 PCB 设计和散热方案。其工作温度范围从 -55℃ 到 150℃，适用于工业级和汽车级应用环境，表现出良好的环境适应性。
　　PZ427V4 还具备快速开关特性，能够有效降低开关损耗，提高系统的整体效率。这一特性使其在高频开关应用中表现优异，例如 DC-DC 转换器、电源模块和电机控制电路。同时，该器件的高可靠性使其成为汽车电子、工业自动化和消费类电子中的常用元件。

PZ427V4 广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统、工业自动化设备、汽车电子以及消费类电子产品。由于其高耐压能力和较高的电流承载能力，它非常适合用于需要高可靠性和高效率的电源转换和控制电路。
　　在电源管理系统中，PZ427V4 可用于设计高效的电源开关和稳压电路。在 DC-DC 转换器中，该 MOSFET 可作为主开关器件，实现高效率的能量转换。此外，在电机控制和负载开关应用中，该器件能够提供稳定的电流控制和高效的开关性能。
　　在汽车电子领域，PZ427V4 可用于车载充电器、电动助力转向系统、电池管理系统以及其他需要高可靠性的电子控制系统中。在消费类电子产品中，该器件可用于电源适配器、LED 照明驱动器和智能家电控制系统中，提供高效的功率控制解决方案。

STP12NM20T, FDPF12N20, IRF3205