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MMBD1204 发布时间 时间:2025/4/27 18:28:04 查看 阅读:5

MMBD1204是一种双二极管芯片,广泛应用于高频电路中,主要用于射频和微波应用中的信号分离、信号组合以及阻抗匹配等功能。该器件具有低插入损耗、高隔离度和良好的线性度等特性,适合于通信系统、无线设备和其他高频电子设备。
  该芯片采用小型化设计,能够有效节省PCB空间,并且具备较高的可靠性,在各种复杂环境下仍能保持稳定的性能表现。

参数

类型:双二极管
  最大正向电流(IF):50mA
  峰值反向电压(VR):20V
  结电容(Cj):0.6pF(典型值)
  插入损耗:0.3dB(典型值)
  隔离度:25dB(典型值)
  工作频率范围:DC至18GHz
  封装形式:SOT-363

特性

MMBD1204的主要特性包括:
  1. 高频率范围支持,可覆盖从直流到18GHz的应用场景。
  2. 极低的结电容,确保在高频应用中的高效性能。
  3. 小型化的SOT-363封装,节省了电路板的空间,同时提高了布局灵活性。
  4. 良好的热稳定性和可靠性,能够在宽温度范围内正常工作。
  5. 高隔离度和低插入损耗,适用于对信号完整性要求较高的场合。
  6. 双二极管结构使其可以方便地用于推挽式或差分电路设计。

应用

MMBD1204主要应用于以下领域:
  1. 射频和微波电路中的信号分离与组合。
  2. 阻抗匹配网络。
  3. 功率分配器和合成器。
  4. 滤波器和双工器设计。
  5. 高速数据通信系统中的前端模块。
  6. 移动通信基站和无线接入点设备。
  7. 卫星通信和雷达系统中的高频组件。

替代型号

MBD1204
  BAT12-04

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MMBD1204参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭二极管,整流器 - 阵列
  • 系列-
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1V @ 200mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电50nA @ 50V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管)200mA
  • 电压 - (Vr)(最大)100V
  • 反向恢复时间(trr)4ns
  • 二极管类型标准
  • 速度小信号 =
  • 二极管配置1 对共阴极
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称MMBD1204DKR