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H55S2622JFR-60M 发布时间 时间:2025/9/2 8:25:55 查看 阅读:9

H55S2622JFR-60M是一款由Hynix(现为SK hynix)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高速存储器产品系列。该芯片常用于需要高速数据存取的嵌入式系统、工业控制设备、网络设备及消费类电子产品中。H55S2622JFR-60M采用CMOS工艺制造,具有低功耗和高性能的特点。其工作频率为60MHz,支持异步模式操作,适合需要中等速度存储器的应用场景。该芯片采用TSOP(Thin Small Outline Package)封装形式,便于在各种电路板上安装和使用。

参数

容量:256K x 16位
  类型:DRAM
  频率:60MHz
  电压:3.3V
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  工作温度范围:-40°C至+85°C

特性

H55S2622JFR-60M具备多项技术特性,首先其60MHz的工作频率使其在中低端嵌入式系统中具有良好的性能表现。该芯片采用异步DRAM架构,不需要精确的时钟同步,简化了系统设计并降低了开发难度。此外,其3.3V电源供电设计使其在功耗方面表现良好,适合对功耗有一定要求的设备应用。
  H55S2622JFR-60M的存储容量为256K x 16位,即总容量为4Mbit,适用于缓存、帧缓冲、数据缓冲等用途。其TSOP封装形式不仅节省空间,而且具有较好的热性能和电气性能,适用于高密度PCB布局环境。
  该芯片支持标准的DRAM控制信号,如行地址选通(RAS)、列地址选通(CAS)和写使能(WE),便于与多种主控芯片进行接口。同时,其宽温度范围(-40°C至+85°C)确保了在工业环境中的稳定运行,适合工业控制、通信设备和车载系统等应用场景。
  此外,H55S2622JFR-60M在设计上考虑了兼容性问题,能够与多种处理器和控制器进行无缝连接,降低了系统集成的难度。其异步操作模式也减少了对外部时钟管理电路的依赖,从而简化了外围电路设计。

应用

H55S2622JFR-60M广泛应用于多个领域,包括工业控制设备、通信设备、网络设备、汽车电子、消费电子产品等。例如,在工业自动化系统中,该芯片可作为数据缓冲区或临时存储单元;在网络设备中,可用于数据包缓存或路由表存储;在汽车电子系统中,可作为多媒体处理或车载导航系统的辅助存储器;在消费类电子产品中,如数字电视、机顶盒、便携式游戏设备等,也可使用该芯片作为高速缓存或主存。
  由于其异步模式的灵活性,H55S2622JFR-60M常用于不需要高速同步接口的低成本系统中,例如基于8位或16位微控制器的设计。其宽温特性和TSOP封装也使其适用于环境较为恶劣的工业现场或户外设备。

替代型号

H57V2622DTP-60C、HY57V281620BTP-6B、IS61LV25616-10B、CY7C136B

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H55S2622JFR-60M参数

  • 位址总线宽15bit
  • 字组数目2M
  • 存储器大小256Mbit
  • 安装类型表面贴装
  • 宽度8mm
  • 封装类型FBGA
  • 尺寸13 x 8 x 0.61mm
  • 引脚数目90
  • 数据总线宽度32bit
  • 数据速率166MHz
  • 最低工作温度-30 °C
  • 最大工作电源电压1.95 V
  • 最小工作电源电压1.7 V
  • 最长随机存取时间6ns
  • 最高工作温度+85 °C
  • 每字组的位元数目32bit
  • 组织8M x 32 位
  • 长度13mm
  • 高度0.61mm