时间：2025/6/19 1:53:53
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ME70N03S是一款N沟道增强型MOSFET，采用TO-252封装形式。该器件适用于各种需要低导通电阻和快速开关特性的应用场合。其额定电压为30V，具有较低的导通电阻，能够有效减少功率损耗并提高效率。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：70A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：49nC
总电容：3650pF
功耗：20W
工作温度范围：-55℃至150℃
ME70N03S拥有非常低的导通电阻，可以显著降低传导损耗，适合高电流应用环境。此外，它具备较快的开关速度和较低的栅极电荷，有助于提升系统的整体效率。
由于采用了先进的制造工艺，此MOSFET在高温下的性能也非常稳定，并且能够承受较高的瞬态电压冲击。同时，其优化的热设计使得散热性能更加优越，进一步增强了可靠性。
这款MOSFET广泛应用于DC-DC转换器、电机驱动、负载切换以及电池保护等电路中。在这些应用场景下，它可以提供高效的功率转换和精确的控制能力。
例如，在汽车电子领域，ME70N03S常用于电源管理系统；在工业自动化方面，则可用于伺服驱动和其他大功率设备的控制模块中。
ME75N03S
ME60N03S
