型号：CMI201212J560M
　　制造商：Walsin（华新科）
　　封装尺寸：EIA 0805（2012公制）
　　电容值：56pF
　　容差：±20%
　　温度特性：X7R（-55°C 至 +125°C，电容变化不超过±15%）
　　额定电压：50V DC
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　介质材料：陶瓷（Class II BaTiO3基）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　引脚数：2
　　产品系列：CMI
　　无铅状态：符合RoHS指令

CMI201212J560M具备优良的电气稳定性与环境适应能力，其采用X7R型陶瓷介质材料，属于第二类铁电陶瓷，具有较高的介电常数，能够在较小体积下实现相对较大的电容容量。该材料在-55°C到+125°C的工作温度范围内，电容值的变化幅度控制在±15%以内，满足大多数非精密电路的设计需求。尽管X7R材料存在一定的电压依赖性（即直流偏压下电容值会下降），但该型号在50V额定电压下的实际可用电容仍能保持较高水平，在典型应用条件下可有效支持去耦和滤波功能。
　　该器件采用先进的叠层制造工艺，内部由多个陶瓷介质层与金属电极交替堆叠而成，形成平行板电容器阵列结构，从而提升整体电容密度并降低等效串联电感（ESL），有利于在高频环境下维持良好的阻抗特性。此外，其端电极经过多层镀镍和锡处理，增强了焊接可靠性和抗湿性，确保在自动贴片和回流焊过程中不发生开裂或脱焊现象。
　　由于其0805（2.0×1.2mm）的小型化封装，CMI201212J560M非常适合高密度印刷电路板布局，广泛用于便携式电子设备如智能手机、平板电脑、无线模块等。同时，该器件通过AEC-Q200认证的可能性较低（因其为通用工业级产品），因此主要面向消费类和工业类市场而非汽车级应用。整体而言，该电容器在成本、性能与可靠性之间实现了良好平衡，是众多模拟和数字系统中理想的旁路与耦合元件选择。

CMI201212J560M广泛应用于各类需要稳定电容性能的电子电路中。在电源管理系统中，常被用作IC供电引脚的去耦电容，以抑制高频噪声和瞬态电压波动，保障数字逻辑器件和模拟前端的稳定运行。在射频（RF）电路中，该电容器可用于LC谐振网络、阻抗匹配网络以及带通滤波器设计，凭借其较小的寄生参数和稳定的温度特性，有助于维持信号通路的一致性。
　　在消费类电子产品如电视、机顶盒、路由器和音频设备中，该型号常用于信号耦合和交流旁路，隔离直流分量的同时传递高频信号。此外，在微控制器单元（MCU）、FPGA和ASIC的外围电路中，也常使用此类电容进行局部储能和噪声滤除。
　　工业控制设备如PLC、传感器模块和电源转换器同样采用该器件进行信号调理和电源净化。由于其具备良好的耐温性能和机械强度，可在较恶劣的环境中长期稳定工作。在自动化测试设备（ATE）和测量仪器中，该电容也可用于构建定时电路或补偿网络，辅助实现精确的时序控制与频率响应调节。总体来看，CMI201212J560M是一款通用性强、适用范围广的表面贴装电容器，适用于多种中等精度应用场景。

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　　 "GRM21BR71H560KA01L",
　　 "CL21B560KBANNNC",
　　 "C2012X7R1H560K",
　　 "CC0805JRNPO9BN560"
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