时间：2025/7/4 20:36:27
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PUSI1005S140CR15GPT 是一款基于硅技术的高效率、低功耗开关电源用 MOSFET 芯片。该芯片专为需要高性能和小封装的应用而设计，适用于高频开关场景下的功率转换和电源管理。其主要特点是低导通电阻（Rds(on)）以及优化的栅极电荷（Qg），从而能够有效降低开关损耗并提升整体系统效率。
该型号属于 PowerMOS 系列，采用先进的制程工艺制造，具有出色的热性能和电气稳定性。其封装形式为 SOT-23，非常适合空间受限的设计。
器件类型：MOSFET
封装类型：SOT-23
漏源极击穿电压 (Vds)：140 V
连续漏极电流 (Id)：3.6 A
导通电阻 (Rds(on))：0.8 Ω
栅极电荷 (Qg)：10 nC
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
输入电容 (Ciss)：350 pF
输出电容 (Coss)：10 pF
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于减少传导损耗，提升能效。
2. 高速开关性能，得益于优化的栅极电荷 Qg 和较低的寄生电容，适合高频应用。
3. 小型封装（SOT-23），节省 PCB 空间，便于小型化设计。
4. 宽工作温度范围（-55°C 至 +150°C），适应多种严苛环境条件。
5. 符合 RoHS 标准，环保且易于焊接。
6. 具备较高的漏源极击穿电压（140V），能够在高压条件下可靠运行。
7. 低反向恢复电荷（Qrr），进一步减少开关损耗。
PUSI1005S140CR15GPT 广泛应用于各种功率转换和电源管理系统中，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. LED 驱动电路
4. 电池充电管理
5. 工业控制设备
6. 消费类电子产品中的适配器和充电器
7. 电机驱动及负载切换
由于其高效的开关特性和紧凑的封装尺寸，该芯片特别适合需要高性能和高密度设计的场合。
PUSI1005S140CR15GP, PUSI1005S140CR15G
