NCD57000 时间：2025/7/30 18:14:09 阅读：42

NCD57000 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款高性能、高可靠性、高边/低边门驱动器芯片，主要用于驱动功率MOSFET或IGBT器件。该芯片采用16引脚SOIC封装，具备较强的驱动能力和良好的抗干扰性能，适用于工业电机控制、电源转换、逆变器等高功率应用场合。NCD57000 支持双通道驱动，分别提供高边和低边输出，并内置了欠压锁定（UVLO）和故障反馈机制，确保系统稳定运行。

参数

工作电压：8 V 至 20 V
　　输出驱动电流：1.5 A（峰值）
　　高边浮动电压：最大600 V
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装类型：16引脚 SOIC
　　输入逻辑电压兼容：3.3 V 至 20 V
　　传播延迟：100 ns（典型值）
　　上升/下降时间：15 ns / 10 ns（典型值）

特性

NCD57000 采用高压浮动结构设计，适用于高边开关应用，支持高达600 V的浮动电压，非常适合用于半桥或全桥拓扑结构中。其内部集成了欠压锁定保护功能，当供电电压低于设定阈值时，自动关闭输出以保护功率器件。
　　该芯片的双通道输出具备独立的输入控制信号，可以灵活配置高边和低边驱动。驱动能力强，输出峰值电流可达1.5 A，有助于快速开关MOSFET或IGBT，降低开关损耗。
　　此外，NCD57000 提供了良好的抗噪声能力，采用了先进的电平转换技术，确保在高频开关环境下信号传输的稳定性。其16引脚SOIC封装形式便于PCB布局和散热设计，适用于紧凑型功率电子设备。
　　由于其高集成度和高可靠性，NCD57000 在电机控制、DC-AC逆变器、电源转换器、工业自动化设备等高要求应用中被广泛采用。

应用

NCD57000 主要应用于需要高边和低边驱动能力的功率电子系统中，例如工业电机驱动器、变频器、DC-DC转换器、逆变器、UPS不间断电源、光伏逆变系统、电动汽车充电模块等。在这些系统中，NCD57000 能够有效驱动MOSFET或IGBT器件，实现高效的能量转换和控制。此外，由于其良好的抗干扰能力和宽电压输入范围，该芯片也适用于复杂电磁环境下的工业控制系统。