时间：2025/9/14 20:28:36
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PUMD18,115是一款由NXP Semiconductors生产的双N沟道增强型MOSFET，采用小型DFN1006-6封装，适用于需要高效率和小尺寸设计的电源管理应用。这款器件设计用于在低电压条件下提供高电流能力，适合用于负载开关、电源转换器和电池管理系统等场景。其高集成度和紧凑的封装使其成为便携式电子设备和车载系统的理想选择。
类型：MOSFET
通道类型：双N沟道增强型
最大漏源电压（Vds）：20V
最大漏极电流（Id）：3.1A
导通电阻（Rds(on)）：95mΩ @ Vgs = 4.5V
栅极电压范围：1.8V - 8V
封装类型：DFN1006-6
PUMD18,115具有多个关键特性，使其在低电压功率应用中表现优异。首先，其双N沟道MOSFET结构允许在同一封装中实现两个独立的高效率功率开关，从而减少电路板空间并简化设计。其次，该器件的低导通电阻（95mΩ）确保了在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，提高了整体系统效率。此外，PUMD18,115支持1.8V至8V的宽栅极电压范围，使其兼容多种控制电路，包括低电压微控制器和数字逻辑器件。该器件还具备良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持可靠运行。DFN1006-6封装不仅体积小巧，还提供了良好的散热性能，有助于在高功率密度应用中维持稳定的工作温度。最后，该MOSFET具有较高的耐用性和抗静电能力，适合用于各种严苛环境下的电子系统，如汽车电子和工业控制设备。
PUMD18,115广泛应用于需要高效功率管理的小型电子设备中。典型的应用包括便携式电子产品（如智能手机、平板电脑和可穿戴设备）中的负载开关和电源管理系统。此外，它也适用于电池供电设备中的DC-DC转换器和同步整流器，以提高能源利用效率。在汽车电子领域，该器件可用于车载电源系统、LED照明控制以及传感器模块的电源管理。由于其高集成度和紧凑封装，PUMD18,115也常用于空间受限的工业控制系统，如智能电表、电机驱动和自动化设备中的电源模块。
PUMD18,115的替代型号包括PUMD18和PUMD18,315。
