时间：2025/8/6 7:51:45
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IXFH19N50是一款由IXYS公司制造的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于功率电子设备中。该器件以其高效率和可靠的性能著称，适合用于需要高电压和高电流能力的电路设计。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：500V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：19A
导通电阻(Rds(on))：0.27Ω
工作温度范围：-55°C至+150°C
IXFH19N50具有低导通电阻，这使得在导通状态下的功率损耗降到最低，从而提高了整体效率。此外，该MOSFET具备高雪崩能量耐受能力，能够在过载条件下提供额外的安全保障。其封装设计优化了散热性能，有助于维持器件在高功率操作时的稳定性。
该器件还具有快速开关特性，减少了开关过程中的能量损耗，这对于高频应用尤为重要。此外，IXFH19N50的栅极电荷量较低，进一步增强了其在高频开关应用中的表现。
这款MOSFET适用于多种应用场合，包括但不限于电源转换器、马达控制器、电池充电器以及各种类型的工业控制系统。由于其高电压和高电流承载能力，IXFH19N50也常被用于需要高可靠性和高性能的汽车电子系统中。
IRF840, STP19NM50N
