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PUMD10,135 发布时间 时间:2025/9/14 7:17:15 查看 阅读:8

PUMD10,135 是一款由Nexperia(安世半导体)生产的双通道双极型晶体管(BJT)阵列,常用于开关和放大电路中。该器件采用TUMT封装(也称为SOT-1220),是一种小型、表面贴装型封装,适用于空间受限的高密度电路设计。PUMD10,135内部集成了两个PNP型晶体管,具有较高的集成度和良好的热性能,广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备中。

参数

晶体管类型:PNP x2
  最大集电极-发射极电压(VCEO):50V
  最大集电极电流(IC):100mA
  最大功耗(PD):300mW
  增益带宽(fT):100MHz
  电流增益(hFE):110-800(根据档位不同)
  封装类型:TUMT (SOT-1220)

特性

PUMD10,135的主要特性之一是其双PNP晶体管集成在一个封装中,有助于减少PCB板的空间占用并简化电路设计。该器件具有较高的开关速度,适用于高频应用,如数字开关电路和射频放大器中的预放大级。
  此外,PUMD10,135的hFE范围较宽,从110到800不等,分为多个档位(例如hFE等级为h11e、h12e等),用户可以根据具体需求选择不同增益等级的器件,增强了设计的灵活性。
  该晶体管的封装形式TUMT(SOT-1220)具有良好的热传导性能,能够在较高温度环境下稳定工作。此外,PUMD10,135的工作温度范围通常为-55°C至+150°C,适合在多种工业和消费电子环境中使用。
  在电气特性方面,PUMD10,135的最大集电极-发射极电压为50V,集电极电流可达100mA,使其适用于中等功率的开关和放大应用。最大功耗为300mW,确保在小封装下仍具备一定的功率处理能力。
  总体而言,PUMD10,135是一款性能稳定、集成度高且适用于多种通用应用的双PNP晶体管阵列,特别适合用于需要节省空间和简化电路布局的场合。

应用

PUMD10,135广泛应用于多种电子系统中,特别是在需要双晶体管配置的电路中。例如,在数字电路中,PUMD10,135可用于构建双极型晶体管逻辑门或作为驱动器使用,例如驱动LED、小型继电器或MOSFET的栅极。此外,它也可用于音频放大电路中的预放大级或功率放大级的一部分,尤其是在低功率音频应用中。
  在电源管理方面,PUMD10,135可作为开关元件用于DC-DC转换器或负载开关电路中,其较高的开关速度和稳定的电气特性使其适用于中频开关应用。
  在通信设备中,该器件可用于射频信号的调制或解调电路,尤其是在低功率无线模块中,如蓝牙、Wi-Fi或ZigBee模块中的信号放大和开关控制部分。
  此外,PUMD10,135也常用于工业控制系统的传感器接口电路,如用于将传感器信号放大或转换为适合微控制器处理的电平信号。其高集成度和紧凑的封装形式使其在便携式电子设备中尤为受欢迎,例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理或信号处理电路。

替代型号

PUMD3, PUMD5, BC850

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PUMD10,135参数

  • 标准包装10,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)2.2k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)47k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 10mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)100mV @ 250µA,5mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)1µA
  • 频率 - 转换-
  • 功率 - 最大300mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装6-TSSOP
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称934055239135