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GA0603H332JXAAP31G 发布时间 时间:2025/6/4 18:47:21 查看 阅读:4

GA0603H332JXAAP31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提高系统的效率和可靠性。
  该型号属于增强型N沟道MOSFET系列,其设计优化了在高电流和高频率条件下的性能表现。

参数

最大漏源电压:60V
  导通电阻:2.5mΩ
  栅极电荷:70nC
  开关时间:ton=12ns, toff=28ns
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

GA0603H332JXAAP31G 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在高电流条件下减少功率损耗。
  2. 快速开关能力,适合高频应用,降低开关损耗。
  3. 高雪崩能量能力,提升器件在异常情况下的耐受性。
  4. 紧凑的封装形式,节省PCB空间。
  5. 出色的热性能,有助于提高整体系统可靠性。
  6. 符合RoHS标准,环保且无铅。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源适配器及充电器。
  2. 工业电机驱动和控制电路。
  3. 汽车电子中的负载开关和保护电路。
  4. 高效DC-DC转换器模块。
  5. 多种便携式设备的电池管理方案。
  6. 通信基站的电源管理单元。

替代型号

IRF3710, FDP5500, AO6602

GA0603H332JXAAP31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容3300 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-