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PTZTE256.8B 发布时间 时间:2025/12/25 10:57:46 查看 阅读:12

PTZTE256.8B 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的 PTC(正温度系数)热敏电阻,属于表面贴装器件(SMD)系列,常用于电路中的过流保护和温度传感应用。该器件基于钡钛酸盐陶瓷材料制成,具有非线性电阻-温度特性,在居里温度点附近其电阻值会急剧上升,从而实现对电流的限制或温度的检测功能。PTZTE256.8B 的命名遵循 Vishay 的标准编码规则,其中 'PTZ' 代表产品系列,'T' 可能表示特定温度特性,'E' 指封装类型或尺寸,'256.8B' 则可能对应于额定电压、居里温度或其他电气参数的编码标识。该器件广泛应用于电源管理模块、电池组保护、电机启动保护、LED 驱动电路以及消费类电子产品中,作为可复位保险丝使用,能够在异常电流或温升情况下自动切断电路,并在故障排除后自行恢复导通状态,提高了系统的安全性和可靠性。

参数

产品类型:PTC 热敏电阻
  安装类型:表面贴装(SMD)
  额定电压:25V DC
  保持电流(Ih):0.8A
  跳脱电流(It):1.6A
  最大耐压:30V DC
  最大承受电流:50A
  动作时间:≤5s(在25℃下,2.5倍It时)
  复位时间:<2min
  工作温度范围:-40℃ ~ +85℃
  居里温度:约120℃
  封装尺寸:E-size(具体为3225,即3.2mm x 2.5mm)
  引脚数:2
  阻值(25℃):典型值为0.35Ω,最大值0.5Ω
  绝缘电阻:>100MΩ(100VDC)
  耐焊接热:3次,260℃,10秒

特性

PTZTE256.8B 具备优异的自恢复特性,能够在过流或过温事件发生后自动断开电路并限制电流,防止设备损坏。其核心材料为掺杂的钛酸钡陶瓷,当温度升高至居里点附近时,晶格结构发生变化,导致介电常数下降,从而使电阻率急剧上升几个数量级,形成“热开关”效应。这种非线性响应使得器件在正常工作条件下呈现低阻态,功耗极小;而在异常状态下迅速转变为高阻态,有效抑制故障电流。该器件具有良好的稳定性与耐久性,经过多次动作循环后仍能保持性能一致,适合长期服役于要求高可靠性的电子系统中。此外,其表面贴装封装形式便于自动化生产,节省空间,适用于紧凑型设计。PTZTE256.8B 还具备较强的抗冲击和振动能力,可在恶劣环境中稳定运行。由于其无铅设计和符合 RoHS 指令的要求,也满足现代环保法规标准。器件的动作特性受环境温度影响较小,在宽温范围内均能提供可靠的保护功能。通过合理选型,可匹配不同负载需求,实现精准的过流保护策略。
  该 PTC 器件还具有较低的初始电阻,减少了正常工作时的能量损耗和发热问题,提升了整体能效。其快速响应能力和可重复使用特性相比传统熔断器具有明显优势,避免了因更换保险丝带来的维护成本和停机时间。同时,PTZTE256.8B 在高温环境下仍能维持足够的绝缘强度和机械完整性,确保不会因热老化而导致失效。在实际应用中,可通过串联方式增强保护能力,或配合其他保护元件如 TVS 二极管、保险丝等构成多级防护体系,进一步提升系统安全性。总之,PTZTE256.8B 是一种集安全性、经济性和环保性于一体的智能型过流保护元件,适用于多种直流电源和低压交流电路场景。

应用

PTZTE256.8B 主要应用于各类需要过流保护和温度监测的电子设备中。常见使用场景包括便携式电池供电设备,如智能手机、平板电脑、电动工具和移动电源等,用于防止锂电池在充电或放电过程中因短路、过载等原因引发的安全隐患。在电源适配器和开关电源模块中,该器件可用于初级或次级侧的电流限制,保护整流桥、MOSFET 和控制 IC 不受过大电流冲击。在电机驱动电路中,特别是小型直流电机或步进电机启动时存在较大浪涌电流,PTZTE256.8B 可作为软启动元件,限制启动电流峰值,延长电机寿命。此外,它也被广泛用于 LED 照明驱动电路中,防止 LED 因电流突变而烧毁。在通信设备、网络路由器、工业控制器和家用电器(如咖啡机、吹风机、电熨斗)中,该 PTC 热敏电阻可充当可复位保险丝,提供持续的过流保护功能。在汽车电子系统中,虽然其工作温度上限略低,但仍可用于部分车载低压辅助电路的保护。由于其小型化封装和高可靠性,也适用于医疗仪器、测量仪表和安防监控设备中的关键电路保护环节。总之,凡是有电流异常风险且需要自动恢复功能的场合,PTZTE256.8B 均是一个理想的解决方案选择。

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PTZTE256.8B参数

  • 标准包装1,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)7.3V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)-
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电20µA @ 3.5V
  • 容差±6%
  • 功率 - 最大1W
  • 阻抗(最大)(Zzt)6 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳DO-214AC,SMA
  • 供应商设备封装PMDS
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-
  • 其它名称PTZTE256.8B-NDPTZTE256.8BTR