时间：2025/12/25 13:15:06
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PTZTE255.6A是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的瞬态电压抑制二极管（TVS Diode），主要用于电路保护，防止因静电放电（ESD）、电感负载切换、雷击感应等引起的瞬态过电压对敏感电子元件造成损害。该器件属于PTZTE系列，具有低钳位电压、快速响应时间和高浪涌吸收能力的特点，适用于多种工业和消费类电子应用。PTZTE255.6A采用SOD-323小型表面贴装封装，节省PCB空间，适合高密度布局设计。其标称击穿电压为25.6V，最大反向工作电压为25V，能够承受IEC 61000-4-2标准中规定的±30kV空气和接触放电事件，是高性能ESD保护的理想选择。
该TVS二极管在正常工作条件下表现为高阻抗状态，不影响主电路运行；当出现瞬态过压时，迅速变为低阻抗状态，将多余能量导入地线，从而保护后级电路。其单向结构设计使其特别适用于直流电源线路或信号线的保护，如USB接口、GPIO引脚、传感器输入等场景。此外，PTZTE255.6A具备优良的热稳定性和长期可靠性，符合RoHS环保要求，并通过AEC-Q101汽车级认证，可用于车载电子系统中的电磁兼容防护。
器件类型：TVS二极管
极性：单向
封装形式：SOD-323
通道数：1
最大峰值脉冲功率：200W
最大反向工作电压(VRWM)：25V
击穿电压(VBR)：最小25.6V，最大28.5V
测试电流(IR)：1mA
最大钳位电压(VC)：42.2V @ IPP = 4.74A
最大反向漏电流(IR)：小于1μA @ 25V
响应时间：低于1ns
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
符合标准：IEC 61000-4-2 (±30kV)，IEC 61000-4-4 (±40A)，AEC-Q101
PTZTE255.6A具备卓越的瞬态电压抑制性能，能够在纳秒级时间内响应瞬态过电压事件，有效保护下游集成电路免受ESD、EFT及雷击感应等瞬态干扰的影响。其单向二极管结构确保在直流系统中不会因反向偏置而影响正常工作，同时提供稳定的反向截止特性，在25V的最大反向工作电压下仅有极低的漏电流（小于1μA），最大限度减少功耗与信号失真。该器件的最大钳位电压为42.2V，在承受高达200W的峰值脉冲功率时仍能维持较低的残压水平，显著降低被保护设备承受的应力。
采用SOD-323紧凑型表面贴装封装，PTZTE255.6A不仅节省印刷电路板空间，还便于自动化贴片生产，提升制造效率。其小型化设计结合高性能表现，使其广泛应用于便携式电子产品、工业控制模块、通信接口保护等领域。此外，该器件通过AEC-Q101车规认证，具备出色的温度稳定性与机械强度，可在-55°C至+150°C极端环境下可靠运行，适用于汽车电子中的CAN总线、LIN总线、电源监控电路等关键部位的过压防护。
PTZTE255.6A符合国际电磁兼容标准，包括IEC 61000-4-2（静电放电抗扰度）和IEC 61000-4-4（电快速瞬变脉冲群抗扰度），支持最高±30kV空气放电和接触放电测试等级，满足严苛工业环境下的EMI/EMC设计需求。其高重复性与一致性保证了批量应用中的稳定性能，且材料组成符合RoHS指令，不含铅、镉等有害物质，支持绿色制造流程。综合来看，PTZTE255.6A是一款集小型化、高效能、高可靠性于一体的TVS保护器件，适用于对空间和性能均有严格要求的应用场景。
广泛用于便携式电子设备中的USB端口ESD保护、智能手机和平板电脑的数据线防护、工业PLC输入输出模块的瞬态抑制、汽车电子中的传感器接口和控制单元保护、通信设备的信号线防护以及各类直流电源系统的过压箝位。
SMBJ24A, PTVS25VS1UR, SP1006-05TS
