类型：MOSFET
　　沟道类型：N 通道
　　最大漏极电流（ID）：60A
　　最大漏极-源极电压（VDS）：100V
　　最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 1.75mΩ（在 VGS=10V 时）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-220
　　安装方式：通孔（Through Hole）

LN60A01EP-LF-Z 是一颗高性能的 N 沟道 MOSFET，采用了先进的沟槽式功率 MOSFET 技术，具备较低的导通电阻和较高的电流承载能力。这种设计使得它在高功率应用中具有更高的效率和更低的功耗。此外，该器件的热阻较低，能够在高温环境下稳定工作，提高了系统的可靠性和寿命。
　　该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 20V 的栅极驱动电压，适用于多种控制电路，包括由微控制器或 PWM 控制器驱动的应用。其高耐压能力（100V VDS）使其适用于各种中高功率 DC-DC 转换器、电源管理系统以及电机控制电路。
　　封装方面，LN60A01EP-LF-Z 采用 TO-220 封装，具有良好的散热性能，便于在 PCB 上安装和散热设计。TO-220 封装也便于与散热片配合使用，进一步提升其在高功率密度应用中的表现。
　　该器件符合 RoHS 环保标准，无铅封装设计，适用于现代绿色电子产品制造。

LN60A01EP-LF-Z 适用于多种功率电子系统，如同步整流器、电源管理系统、DC-DC 转换器、UPS（不间断电源）、服务器电源、工业电机控制、电池管理系统以及高功率负载开关等。其高电流能力和低导通电阻特性使其成为高效电源转换和高功率应用的理想选择。

IRF1404、STP60NF06、FDP6030L、SiHH060N6