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PTZTE2511B 发布时间 时间:2025/12/25 10:42:42 查看 阅读:21

PTZTE2511B是一款由Panasonic(松下)公司生产的表面贴装型瞬态电压抑制二极管(TVS Diode),主要用于电路中的静电放电(ESD)保护和瞬态电压抑制。该器件属于Panasonic的EZD系列,专为高速数据线路和敏感电子元件提供可靠的过压保护。PTZTE2511B采用小型化封装(如SOD-962或等效DFN封装),适用于空间受限的便携式电子产品。其设计目标是在不影响信号完整性的情况下,快速响应并钳制瞬态高压脉冲,从而保护下游集成电路免受损坏。
  该TVS二极管具有低电容特性,典型值低于1pF,因此非常适合用于USB、HDMI、音频接口、RF天线开关以及智能手机和平板电脑中的触摸屏控制器等高速信号路径的保护。PTZTE2511B的工作温度范围通常为-55°C至+125°C,符合工业级应用要求,并且满足IEC 61000-4-2 Level 4(±8kV接触放电)和IEC 61000-4-4标准对ESD及电性快速瞬态干扰的防护等级。
  作为单向击穿型TVS器件,PTZTE2511B在正常工作电压下呈现高阻抗状态,几乎不消耗电流;当出现超过其击穿电压的瞬态过压事件时,器件迅速进入低阻态,将多余能量泄放到地,从而限制负载端电压上升。恢复时间极短,可实现多次重复保护而性能不变。此外,该产品无铅且符合RoHS环保指令要求,适合自动化贴片生产工艺。

参数

类型:单向TVS二极管
  反向关断电压(VRWM):25V
  击穿电压(VBR):27.8V @ 1mA
  最大钳位电压(VC):42.2V @ 1A
  峰值脉冲电流(IPP):1A
  峰值脉冲功率(PPPM):60W @ 10/1000μs
  电容典型值(CT):0.8pF @ 0V, 1MHz
  漏电流(IR):≤1μA @ VRWM
  工作结温范围(TJ):-55°C ~ +125°C
  封装形式:SOD-962(DSN0603-2)
  极性:单极性
  安装类型:表面贴装(SMD)

特性

PTZTE2511B的核心特性之一是其超低结电容,典型值仅为0.8pF,在高频信号传输中引入的信号衰减和失真极小,确保了高速接口如USB 2.0、HDMI CEC线路或RF前端模块的信号完整性不受影响。这一特性使其成为现代消费类电子设备中理想的ESD保护解决方案。由于电容极低,它能够在不影响数据速率的前提下有效滤除高频噪声和瞬态干扰,避免通信中断或误码率上升。
  其次,该器件具备优异的瞬态响应能力,能够在纳秒级别内从高阻态切换到低阻态,及时泄放高达60W的瞬态功率(基于10/1000μs波形测试条件)。这种快速响应机制对于应对突发性的静电放电事件至关重要,尤其是在人体接触接口时可能产生的±8kV以上接触放电。通过将钳位电压控制在42.2V以内,PTZTE2511B能够有效防止后级CMOS逻辑电路因过压而发生栅氧击穿或热失效。
  另一个显著特点是其稳定的电气参数与长期可靠性。PTZTE2511B采用成熟的半导体制造工艺,保证了批次间的一致性和耐久性。即使在经历数千次ESD冲击后,其关键参数如击穿电压和漏电流仍能保持在规格范围内,不会出现性能退化现象。这使得它适用于需要高可靠性的工业控制、车载信息娱乐系统和医疗电子设备。
  此外,该器件的小型化封装(SOD-962)仅占用约0.6mm x 0.3mm的PCB面积,极大节省了布板空间,特别适合轻薄化移动设备的设计需求。同时,该封装具有良好的热导性和机械强度,支持回流焊工艺,便于大规模自动化生产。整体结构无铅且符合RoHS与REACH环保规范,满足现代绿色电子产品的设计要求。

应用

PTZTE2511B广泛应用于各类需要ESD保护的便携式电子设备和通信接口中。典型应用场景包括智能手机和平板电脑中的USB Type-A/C接口、耳机插孔、SIM卡槽和显示屏连接器的静电防护。在这些设备中,用户频繁插拔外设或直接接触接口,极易引发静电放电,PTZTE2511B可有效吸收并泄放此类瞬态能量,保护主控芯片和传感器模块。
  在消费类电子产品方面,该器件常用于高清音视频设备的HDMI、DisplayPort等高速差分信号线路上,防止雷击感应或电源耦合引起的电压浪涌。此外,在无线通信模块如Wi-Fi、蓝牙和蜂窝模组的天线开关电路中,PTZTE2511B凭借其低电容特性,既能提供足够的过压保护,又不会影响射频信号的传输效率。
  工业领域中,该TVS管可用于PLC控制器、传感器接口和现场总线通信端口的瞬态抑制,提升系统在恶劣电磁环境下的稳定性。汽车电子中,尽管其额定功率有限,但仍可用于非动力系统的低压信号线路保护,例如车载导航系统的按钮输入或CAN总线终端节点的辅助保护。
  总之,PTZTE2511B凭借其小尺寸、低电容、高响应速度和可靠的ESD防护能力,已成为众多高速、高密度电子系统中不可或缺的保护元件。

替代型号

PESD25VL1BA

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PTZTE2511B参数

  • 标准包装1,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)11.5V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)-
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电10µA @ 8V
  • 容差±6%
  • 功率 - 最大1W
  • 阻抗(最大)(Zzt)8 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳DO-214AC,SMA
  • 供应商设备封装PMDS
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-
  • 其它名称PTZTE2511B-NDPTZTE2511BTR