容量：4GB
　　类型：LPDDR4 SDRAM
　　电压：1.1V
　　封装：FBGA
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　数据速率：3200Mbps
　　位宽：16位
　　时钟频率：1600MHz

H9TKNNN4KDMPR-NYM 的主要特性包括其高存储容量和低功耗设计，使其适用于现代移动设备和嵌入式系统。LPDDR4技术带来了更高的数据传输速率，支持更复杂的应用程序和更快的系统响应。该芯片的1.1V工作电压相比前代产品降低了功耗，延长了设备的电池寿命。此外，其紧凑的FBGA封装形式有助于节省PCB空间，适用于空间受限的设计。该芯片还具有良好的温度适应性，能够在-40°C至+85°C的温度范围内稳定工作，适用于各种环境条件。
　　这款DRAM芯片采用了先进的制造工艺，确保了数据的高可靠性和稳定性。其16位的数据位宽和1600MHz的时钟频率提供了高达3200Mbps的数据传输速率，能够满足高性能计算和图形处理的需求。此外，H9TKNNN4KDMPR-NYM 还支持多种低功耗模式，如自刷新模式和深度掉电模式，进一步优化了系统的能效。

H9TKNNN4KDMPR-NYM 广泛应用于各种高性能移动设备和嵌入式系统中，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及车载信息娱乐系统（IVI）。由于其高速数据传输能力和低功耗特性，它也非常适合用于需要大量数据处理的场景，如高清视频播放、3D图形渲染和多任务处理。此外，该芯片还可用于工业控制设备、医疗设备和物联网（IoT）设备，提供稳定可靠的内存支持。在需要长时间运行和高稳定性的应用中，如车载系统和工业自动化设备，该芯片的宽温工作范围和高可靠性使其成为理想选择。
　　除了移动设备，H9TKNNN4KDMPR-NYM 也适用于便携式消费电子产品，如电子书阅读器、数码相机和游戏掌机。它的低功耗特性有助于延长设备的使用时间，同时其高速性能能够提升用户体验。在嵌入式系统中，该芯片可用于运行复杂操作系统和多线程应用程序，满足对内存容量和速度的高要求。

H9HKNNN8GBMPR-NEC
　　H9HKNNN8GBULR-NEC
　　H9HKNNN4GBMPR-NEC