晶体管类型：PNP BJT
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：150mW
　　截止频率（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据等级不同）
　　封装类型：SOT-23

2SB703-Q 拥有优异的高频性能，能够在高达100MHz的频率下稳定工作，适合用于射频和中频放大器设计。
　　该晶体管具有较低的噪声系数，有助于提高信号链路的整体信噪比，适合用于低噪声前置放大器电路。
　　其SOT-23封装形式不仅体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，而且具有良好的热稳定性和机械强度。
　　器件的电流增益范围广泛（110至800），根据不同的等级划分，用户可以根据设计需求选择合适的器件，提高了设计灵活性。
　　此外，2SB703-Q 的功耗较低，适合用于电池供电设备和便携式电子产品中，有助于延长设备的使用时间。

2SB703-Q 主要应用于无线通信设备中的射频放大器和中频放大器模块，如蓝牙、Wi-Fi、ZigBee等无线模块。
　　该器件也常用于音频放大器中的前置放大级，特别是在需要低噪声和高增益的模拟信号处理电路中。
　　由于其良好的开关特性，2SB703-Q 可作为高速开关元件用于数字电路和逻辑控制电路中。
　　此外，该晶体管还适用于传感器信号调理电路、振荡器设计以及各种高频振荡和调制电路中。
　　在消费类电子产品中，如智能手机、无线耳机、智能手表等设备中，2SB703-Q 常被用于射频前端模块的信号放大和切换控制。

2SB703, BC847B, BC857B, 2N3906