时间：2025/5/8 12:13:31
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SI7682DP 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET，该器件采用 TrenchFET Gen IV 技术制造，具有低导通电阻和出色的开关性能。其设计适用于高频、高效率的电源转换应用以及负载切换等场景。
这款芯片以小型化的封装形式提供，支持表面贴装工艺，广泛用于消费电子、通信设备以及工业控制等领域。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：19A
导通电阻（典型值）：1.5mΩ
栅极电荷（典型值）：34nC
开关频率范围：高达 2MHz
结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：PowerPAK? 8x8
SI7682DP 的核心优势在于其卓越的电气特性和可靠性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可显著降低传导损耗，提高整体系统效率。
2. 小巧的 PowerPAK 8x8 封装使其能够满足紧凑型设计需求。
3. 高额定电流能力允许在大功率应用场景下使用。
4. 出色的热性能有助于维持稳定的运行状态。
5. 快速开关速度减少了开关损耗并优化了动态响应。
6. 兼容多种驱动电压，增强了设计灵活性。
7. 符合 RoHS 标准，并且具备较强的抗 ESD 能力。
SI7682DP 主要应用于以下领域：
1. DC/DC 转换器中的同步整流开关。
2. 开关电源（SMPS）中的主功率级开关或次级侧同步整流。
3. 电机驱动电路中的功率开关元件。
4. 电池管理系统（BMS）中的负载切换和保护功能。
5. 电信及数据通信设备中的高效功率传输模块。
6. 工业自动化设备中的功率调节与控制单元。
SI7449DN, IRF7739TRPBF, AO3402A
