2DI100D-050D 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)制造的双通道隔离式栅极驱动器芯片,广泛用于驱动功率MOSFET和IGBT等功率开关器件。该芯片采用ST的高性能VI(Voltage Independent)绝缘技术,提供了高达5000Vrms的隔离电压,确保在高电压和高噪声环境下也能稳定工作。2DI100D-050D 特别适用于工业电机控制、逆变器、电源转换系统和电动汽车应用。
型号: 2DI100D-050D
制造商: STMicroelectronics
封装类型: DIP
隔离电压: 5000 Vrms
最大工作电压: 1000 V
输出驱动能力: 高达1.2A/1.2A
输入电源电压范围: 3.0V - 5.5V
工作温度范围: -40°C 至 +125°C
传播延迟时间: 最大150ns
共模瞬态抗扰度(CMTI): >50kV/μs
输出配置: 双独立通道
输入逻辑: 施密特触发输入
2DI100D-050D 具有多种高性能特性,使其成为高可靠性功率驱动应用的理想选择。
首先,该芯片采用了ST专有的VI绝缘技术,提供高达5000Vrms的增强型隔离等级,确保在高压环境下运行的安全性与稳定性。
其次,该器件具备双独立通道输出,每个通道均可提供高达1.2A的峰值驱动电流,能够有效驱动高功率的MOSFET和IGBT器件,从而提高功率转换效率。
此外,2DI100D-050D 的输入端支持3.0V至5.5V的宽电压范围,兼容多种微控制器和数字控制电路,增强了系统设计的灵活性。
其传播延迟时间最大为150ns,且通道间延迟匹配度高,有助于提高控制精度和响应速度,适用于高频开关应用。
为了增强抗干扰能力,该芯片具备出色的共模瞬态抗扰度(CMTI),其值大于50kV/μs,能够在恶劣的工业环境中保持稳定运行,避免误触发问题。
2DI100D-050D 还具备欠压锁定(UVLO)功能,当供电电压低于安全阈值时,会自动关闭输出,保护功率器件不受损害。
最后,该芯片的封装形式为DIP,便于安装和维护,适用于各种工业和汽车电子系统。
2DI100D-050D 主要应用于需要高压隔离和高效功率驱动的场合。常见的应用包括:工业电机驱动器、伺服驱动器、可再生能源系统(如太阳能逆变器)、不间断电源(UPS)、电动车充电系统、电动汽车的电机控制系统、工业自动化设备、功率因数校正(PFC)电路以及各类DC-AC和DC-DC功率转换系统。
2DI100D-050D 可以被以下型号替代:STMicroelectronics 的 2ED2182S06F、TI 的 ISO550、以及 Silicon Labs 的 Si8235。