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H5MS1262EFP-K3M 发布时间 时间:2025/9/1 23:21:48 查看 阅读:10

H5MS1262EFP-K3M 是由SK Hynix(海力士)公司生产的一种高密度、高性能的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片采用FBGA(Fine Pitch Ball Grid Array)封装技术,适用于需要大容量内存和高速数据处理的应用场景。H5MS1262EFP-K3M 是一款容量为2Gbit(256MB),组织结构为x16的DRAM芯片,工作频率支持高达166MHz,适用于工业级和消费类电子产品。

参数

容量:2Gbit
  组织结构:x16
  封装类型:FBGA
  工作电压:2.3V - 3.6V
  最大工作频率:166MHz
  访问时间:5.4ns
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  数据宽度:16位
  

特性

H5MS1262EFP-K3M 的主要特性包括高存储密度、低功耗设计、宽电压工作范围以及良好的温度适应性。这款DRAM芯片采用异步工作模式,能够在不依赖系统时钟的情况下进行读写操作,从而提高了系统的灵活性。此外,其FBGA封装形式有助于减少PCB板上的空间占用,并增强散热性能,适合在高密度电路板上使用。
  该芯片的异步控制接口支持多种时序模式,包括快速页面模式和扩展数据输出模式,从而优化了数据访问效率。其工作电压范围较宽(2.3V至3.6V),允许在不同的电源管理方案中灵活应用。H5MS1262EFP-K3M 还支持自动低功耗模式(如待机和深度掉电模式),有助于延长便携式设备的电池寿命。
  在可靠性方面,该芯片通过了严格的工业级测试标准,可在-40°C至+85°C的温度范围内稳定运行,适用于恶劣环境下的应用,如工业控制系统、网络设备、通信模块等。

应用

H5MS1262EFP-K3M 主要应用于需要大容量、高速缓存的嵌入式系统和工业设备。典型应用包括网络路由器、交换机、智能卡终端、视频监控设备、打印机和扫描仪等外设控制器。此外,它也常用于汽车电子系统,如车载信息娱乐系统(IVI)、高级驾驶辅助系统(ADAS)中的临时数据存储单元。由于其宽电压和宽温度范围特性,该芯片也适合用于便携式医疗设备、手持测试仪器等对可靠性和稳定性要求较高的场合。

替代型号

H5MS1262EFP-K3C, H5MS1262EFP-R6M, H5MS1262EFP-K3A

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