2SK3689 是一款由东芝(Toshiba)公司生产的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关等高频率、高效率的功率电子设备中。该MOSFET具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压和良好的热稳定性,适用于中等功率的开关应用。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流(ID):1.5A
最大漏源电压(VDS):200V
最大栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(Rds(on)):约3.5Ω @ VGS = 10V
耗散功率(PD):30W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-92(类似晶体管的塑料封装)
2SK3689 MOSFET具有多个优良的电气和物理特性,适用于高频和中等功率的应用场景。
首先,它的低导通电阻(Rds(on))可以显著降低导通状态下的功率损耗,提高系统效率。在10V的栅极驱动电压下,Rds(on)约为3.5Ω,这对于需要高效能的小型电源转换器非常关键。
其次,该器件具有较高的漏源击穿电压(VDS)为200V,能够承受较高的电压应力,适用于多种中压功率转换应用,例如开关电源(SMPS)、马达驱动器和DC-DC转换器。
此外,2SK3689采用TO-92封装,这种封装形式具有良好的散热性能,同时便于安装和焊接,适合大批量生产使用。该封装还能提供一定的机械强度,确保器件在恶劣环境下稳定工作。
器件的栅极驱动电压范围为±20V,兼容多种标准的MOSFET驱动器,便于系统集成和设计。此外,其额定漏极电流为1.5A,适合中等功率等级的应用,不会因为电流过大而引起明显的热问题。
最后,2SK369具备良好的温度稳定性,可在-55°C至+150°C的温度范围内可靠工作,适应工业级和部分军用级环境的应用需求。
2SK3689主要用于需要中等功率控制的场合,例如:
1. 开关电源(SMPS):在反激式、正激式或谐振式电源拓扑中作为主开关器件,实现高效率的能量转换。
2. DC-DC转换器:用于升降压(Buck-Boost)、升压(Boost)或降压(Buck)电路,尤其适用于电池供电设备的电源管理。
3. 负载开关:作为电子负载或电机控制中的开关元件,实现对负载的快速通断控制。
4. 照明系统:如LED驱动电路中的恒流控制开关,用于调节亮度或保护LED免受过流损坏。
5. 工业自动化设备:作为继电器替代器件,用于PLC、传感器或执行机构的控制电路中,提高响应速度和可靠性。
由于其高耐压和低导通电阻的特性,2SK3689非常适合用于需要较高电压隔离和效率优化的小型功率电子产品中。
2SK2460, 2SK3078, 2SK3690