时间：2025/6/23 11:21:17
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PTVSHC1SF18VBH 是一款由英飞凌（Infineon）生产的高压 MOSFET，采用 SuperMOS 技术制造。该器件具有高效率、低导通电阻和快速开关性能，适用于各种高电压应用场景。其额定电压为 650V，能够满足多种工业及消费类电子产品的设计需求。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：2.4A
导通电阻：750mΩ（典型值，@ VGS=10V）
栅极电荷：35nC（典型值）
开关速度：快速开关
封装形式：SMD, TO-Leadless (DL)
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
PTVSHC1SF18VBH 的主要特点是其高耐压能力与低导通电阻的结合。这使得它在硬开关应用中表现优异，同时减少了功率损耗。
该器件采用先进的 SuperMOS 技术，具备出色的 RDS(on) 性能，从而提高了整体效率。
此外，它的紧凑型无引脚封装设计使其非常适合对空间要求严格的 PCB 布局，并提供了优越的热性能和电气性能。
由于其快速开关能力和低栅极电荷，此 MOSFET 非常适合高频开关电源、电机驱动以及 DC-DC 转换器等应用。
这款 MOSFET 广泛应用于需要高电压支持的场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 工业电机驱动
4. 照明控制（如 LED 驱动电路）
5. 家用电器中的功率管理模块
6. 充电器和适配器
其高性能和可靠性确保了它在这些领域的广泛应用。
PTV18N65CFD, IFR650, STP18NF65
