类型ET
　　最大漏极-源极电压（VDS）：-20 V
　　最大栅极-源极电压（VGS）：±12 V
　　最大连续漏极电流（ID）：-4.5 A（在 VGS = -4.5 V）
　　导通电阻（RDS(on)）：18 mΩ（典型值，在 VGS = -4.5 V）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TDFN 或 PowerPAK 6x5

SDP117AHVUMD 具有多个显著特点，使其在各种电源应用中表现出色。
　　首先，该器件具有非常低的导通电阻（RDS(on)），通常仅为 18 mΩ。这使得在高电流条件下也能保持较低的功率损耗，从而提高整体系统效率。此外，低 RDS(on) 还有助于减少发热，提高系统的稳定性和可靠性。
　　其次，SDP117AHVUMD 支持逻辑电平驱动，其栅极阈值电压（VGS(th)）通常在 -0.8 V 到 -1.6 V 范围内。这意味着它可以与标准的 3.3V 或 5V 控制电路（如微控制器或 PWM 控制器）直接连接，而无需额外的栅极驱动电路，从而简化设计并降低成本。
　　第三，该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供了优异的热性能和电气性能。即使在高温环境下，SDP117AHVUMD 也能保持稳定的导通状态，确保系统长时间可靠运行。
　　最后，SDP117AHVUMD 采用了紧凑的封装形式，例如 TDFN 或 PowerPAK 封装，占用 PCB 空间小，适合高密度设计。同时，这种封装也提供了良好的散热能力，有助于快速将热量传导至 PCB，进一步提升器件的稳定性。

SDP117AHVUMD 主要用于以下几种应用场景：
　　1. **负载开关**：在便携式电子产品（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）中，作为电源开关控制外设模块的供电，实现高效节能的电源管理。
　　2. **DC-DC 转换器**：在同步降压或升压转换器中，作为高边开关使用，帮助实现高效的能量转换。
　　3. **电池管理系统**：用于电池充放电控制电路中，提供低损耗的开关功能，延长电池寿命。
　　4. **电机控制**：在小型直流电机或步进电机驱动电路中，用于控制电机的启停和方向切换。<自动化设备**：在PLC、传感器模块、继电器替代方案等应用中，作为高可靠性开关元件使用。

Si2301DS, AO440P, BUK9M52-40E