PTR08060W 时间：2025/6/3 11:30:16 阅读：4

PTR08060W 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该芯片采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效降低功耗并提升系统效率。
　　它具有出色的热性能和电气性能，适用于需要高效能和高可靠性的应用场景。此外，PTR08060W 采用紧凑型封装设计，适合对空间要求较高的电路设计。

参数

型号：PTR08060W
　　类型：N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
　　最大漏源电压(Vdss)：60V
　　最大连续漏极电流(Id)：80A
　　导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ（典型值）@ Vgs=10V
　　栅极电荷(Qg)：70nC（典型值）
　　总功耗(Ptot)：240W
　　工作温度范围(Ta)：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-247

特性

PTR08060W 具备以下显著特点：
　　1. 极低的导通电阻 Rds(on)，可有效降低导通损耗。
　　2. 高额定电流能力，支持高达 80A 的连续漏极电流。
　　3. 快速开关性能，减少开关损耗，提高整体效率。
　　4. 紧凑型封装设计，节省 PCB 布局空间。
　　5. 支持宽广的工作温度范围，确保在极端环境下的稳定性。
　　6. 出色的热性能，便于散热管理。
　　这些特性使得 PTR08060W 成为工业应用中高功率密度设计的理想选择。

应用

PTR08060W 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源 (SMPS)，包括 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
　　2. 电机驱动和控制，如无刷直流电机 (BLDC) 驱动。
　　3. 汽车电子系统中的负载切换和保护电路。
　　4. 工业自动化设备中的功率转换和控制模块。
　　5. 高效能逆变器和 UPS 系统。
　　由于其高效率和可靠性，PTR08060W 在各种高功率应用场景中表现出色。