PTR08060W 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效降低功耗并提升系统效率。
它具有出色的热性能和电气性能,适用于需要高效能和高可靠性的应用场景。此外,PTR08060W 采用紧凑型封装设计,适合对空间要求较高的电路设计。
型号:PTR08060W
类型:N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
最大漏源电压(Vdss):60V
最大连续漏极电流(Id):80A
导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ(典型值)@ Vgs=10V
栅极电荷(Qg):70nC(典型值)
总功耗(Ptot):240W
工作温度范围(Ta):-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-247
PTR08060W 具备以下显著特点:
1. 极低的导通电阻 Rds(on),可有效降低导通损耗。
2. 高额定电流能力,支持高达 80A 的连续漏极电流。
3. 快速开关性能,减少开关损耗,提高整体效率。
4. 紧凑型封装设计,节省 PCB 布局空间。
5. 支持宽广的工作温度范围,确保在极端环境下的稳定性。
6. 出色的热性能,便于散热管理。
这些特性使得 PTR08060W 成为工业应用中高功率密度设计的理想选择。
PTR08060W 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS),包括 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
2. 电机驱动和控制,如无刷直流电机 (BLDC) 驱动。
3. 汽车电子系统中的负载切换和保护电路。
4. 工业自动化设备中的功率转换和控制模块。
5. 高效能逆变器和 UPS 系统。
由于其高效率和可靠性,PTR08060W 在各种高功率应用场景中表现出色。
IRFP2907, FDP077N06L, STP80NF06