PTVSHC1DF6VU 是一款基于硅技术的瞬态电压抑制器(TVS),主要用于保护电路免受静电放电(ESD)、雷击和其它瞬态电压浪涌的危害。该器件具有高功率处理能力、低电容和快速响应时间,非常适合高速数据线和信号线的保护。其封装形式通常为小尺寸表面贴装类型,便于在现代电子设备中使用。
PTVSHC1DF6VU 的设计使其能够承受多次重复的浪涌事件而不损坏,同时保持较低的箝位电压,从而有效保护后端敏感电路。这种 TVS 二极管广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制等领域。
最大反向工作电压:6V
最大箝位电压:12.8V
峰值脉冲电流:39A
响应时间:1ps
结电容:5pF
漏电流:1μA(最大值,在VRWM下)
功耗:500W(典型值)
封装形式:DO-214AC (SMAJ)
工作温度范围:-55℃至+150℃
1. 高浪涌耐受能力,能承受 IEC61000-4-2 标准定义的±15kV 接触放电和±30kV 空气放电。
2. 快速响应时间,仅为 1ps,确保能够及时抑制瞬态电压尖峰。
3. 极低的结电容(仅 5pF),对高频信号的影响较小,适用于高速数据传输线路。
4. 小型化封装,易于集成到紧凑型设计中。
5. 符合 RoHS 标准,环保无铅。
6. 在较宽的工作温度范围内保持稳定的电气性能,适合各种恶劣环境下的应用。
1. USB 和 HDMI 数据线的 ESD 保护。
2. 移动通信设备中的射频前端保护。
3. 工业自动化系统中的信号线保护。
4. 汽车电子系统的瞬态电压防护。
5. 消费类电子产品中的电源接口保护。
6. 高速通信接口如以太网、RS-232 和 RS-485 的保护。
PESD6V1HBA, SMAJ6.0A, SMBJ6.0CA