时间：2025/5/6 20:36:43
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CSD23285F5 是一款由德州仪器（TI）生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的制程技术，旨在提供高效的开关性能和低导通电阻特性，适用于各种功率转换和电机驱动应用。其优化的封装设计使其能够满足高密度电路板布局需求。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：16A
导通电阻：3.7mΩ
栅极电荷：30nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
CSD23285F5 具有极低的导通电阻，可显著降低功率损耗，提高系统效率。
该器件还具备优异的热性能和耐用性，能够在严苛的工作条件下保持稳定运行。
此外，其快速开关能力和低栅极电荷使其非常适合高频应用，如 DC-DC 转换器、同步整流器以及电机控制器等场景。
它还采用了小尺寸封装（SON 8 引脚），从而为 PCB 布局提供了更大的灵活性。
CSD23285F5 广泛应用于消费电子、工业设备及汽车领域中的功率管理电路。
典型应用包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）
- DC-DC 转换器
- 同步整流
- 电池管理系统（BMS）
- 小型电机驱动
- 逆变器模块
凭借其卓越的性能表现，这款 MOSFET 成为需要高效能与紧凑空间解决方案的理想选择。
CSD19504Q5A, IRF3710, FDMC8812
