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STTH1L06U 发布时间 时间:2025/7/2 11:26:04 查看 阅读:7

STTH1L06U是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高压MOSFET晶体管,主要适用于高频开关应用和功率转换场景。该器件采用TO-220封装形式,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,能够显著提高效率并降低功耗。
  STTH1L06U是一款N沟道增强型MOSFET,其额定电压为600V,适用于各种需要高耐压能力的应用环境,例如开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及逆变器等。通过优化设计,这款器件在高温条件下也能保持稳定性能,非常适合工业级和消费级电子产品。

参数

最大漏源电压:600V
  连续漏极电流:1.3A
  栅极阈值电压:2V 至 4V
  导通电阻(典型值):12Ω
  总功耗:2W
  工作温度范围:-55°C 至 175°C
  封装形式:TO-220

特性

STTH1L06U具备以下关键特性:
  1. 高击穿电压(600V),使其适合高压环境下的应用。
  2. 较低的导通电阻(12Ω典型值),有助于减少传导损耗。
  3. 快速开关速度,可以有效降低开关损耗。
  4. 高温稳定性,能够在极端温度范围内可靠运行。
  5. 封装形式为标准TO-220,便于安装和散热设计。
  6. 符合RoHS标准,绿色环保,满足现代电子产品的环保要求。

应用

STTH1L06U广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
  2. DC-DC转换器中的高频开关元件。
  3. 电机驱动电路中的功率控制器件。
  4. 逆变器及光伏系统中的功率管理模块。
  5. 各类工业自动化设备中的功率转换与控制组件。
  6. 家用电器中涉及高压开关的场景,如空调、洗衣机等。

替代型号

IRF840, BUZ11

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STTH1L06U参数

  • 其它有关文件STTH1L06 View All Specifications
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型标准
  • 电压 - (Vr)(最大)600V
  • 电流 - 平均整流 (Io)1A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.3V @ 1A
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)80ns
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电1µA @ 600V
  • 电容@ Vr, F-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳DO-214AA,SMB
  • 供应商设备封装SMB
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称497-3766-6