时间：2025/6/28 12:54:23
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PTVSHC1DF45VU 是一款高性能的瞬态电压抑制二极管（TVS），设计用于保护电子电路免受过压瞬变的危害，例如静电放电（ESD）、雷击感应和负载突降等。该器件采用 DO-214AC 小型封装，适用于高密度电路板布局，并且具备低电容、快速响应时间以及高浪涌能力等特点。
额定电压：45V
峰值脉冲电流：15A
最大反向工作电压：45V
击穿电压：50.6V
箝位电压：83.7V
结电容：45pF
响应时间：1ps
漏电流：1μA（最大值，@VR=45V）
存储温度范围：-55℃ 至 +150℃
工作温度范围：-55℃ 至 +125℃
PTVSHC1DF45VU 具有以下主要特性：
1. 高度可靠的 ESD 和浪涌保护功能，适合严苛环境下的应用。
2. 采用 DO-214AC (SMC) 封装，节省空间且易于安装。
3. 快速响应时间 (<1ps)，能够在瞬间抑制过压事件，保护敏感电路。
4. 低结电容 (45pF)，对高速信号的影响较小。
5. 符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车级应用。
6. 支持无铅回流焊工艺，满足 RoHS 要求。
7. 稳定的电气性能，确保长期可靠性。
PTVSHC1DF45VU 广泛应用于需要过压保护的各种场景，包括但不限于：
1. 汽车电子系统中的电源线和信号线保护。
2. 工业自动化设备中的接口保护。
3. 通信设备中的射频和数据线路防护。
4. 消费类电子产品中 USB、HDMI 和其他高速接口的 ESD 保护。
5. 物联网 (IoT) 设备中的传感器和无线模块保护。
SMBJ46A, PESD5V0R1B, SM6T45A
