PTVSHC1DF45VU 是一款高性能的瞬态电压抑制二极管(TVS),设计用于保护电子电路免受过压瞬变的危害,例如静电放电(ESD)、雷击感应和负载突降等。该器件采用 DO-214AC 小型封装,适用于高密度电路板布局,并且具备低电容、快速响应时间以及高浪涌能力等特点。
额定电压:45V
峰值脉冲电流:15A
最大反向工作电压:45V
击穿电压:50.6V
箝位电压:83.7V
结电容:45pF
响应时间:1ps
漏电流:1μA(最大值,@VR=45V)
存储温度范围:-55℃ 至 +150℃
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
PTVSHC1DF45VU 具有以下主要特性:
1. 高度可靠的 ESD 和浪涌保护功能,适合严苛环境下的应用。
2. 采用 DO-214AC (SMC) 封装,节省空间且易于安装。
3. 快速响应时间 (<1ps),能够在瞬间抑制过压事件,保护敏感电路。
4. 低结电容 (45pF),对高速信号的影响较小。
5. 符合 AEC-Q101 标准,适用于汽车级应用。
6. 支持无铅回流焊工艺,满足 RoHS 要求。
7. 稳定的电气性能,确保长期可靠性。
PTVSHC1DF45VU 广泛应用于需要过压保护的各种场景,包括但不限于:
1. 汽车电子系统中的电源线和信号线保护。
2. 工业自动化设备中的接口保护。
3. 通信设备中的射频和数据线路防护。
4. 消费类电子产品中 USB、HDMI 和其他高速接口的 ESD 保护。
5. 物联网 (IoT) 设备中的传感器和无线模块保护。
SMBJ46A, PESD5V0R1B, SM6T45A