类型：NPN
　　集电极-发射极电压（Vceo）：50V
　　集电极-基极电压（Vcb）：50V
　　发射极-基极电压（Veb）：6V
　　集电极电流（Ic）：500mA
　　功率耗散（Pd）：300mW
　　直流电流增益（hFE）：100 - 400 @ Ic = 150mA, Vce = 1V
　　过渡频率（fT）：200MHz
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23
　　极性：NPN
　　最大饱和电压（Vce(sat)）：0.25V @ Ic = 50mA, Ib = 5mA
　　热阻（RθJA）：417°C/W
　　增益带宽积：200MHz

CPH6104-TL具备出色的高频响应能力，其典型过渡频率（fT）达到200MHz，使其能够在高频开关和射频信号处理应用中保持良好的性能表现。这一特性使得该晶体管不仅适用于传统的DC-DC转换器驱动和逻辑电平转换，还能在无线通信前端模块中作为射频开关使用。其快速的开关速度得益于优化的内部结构设计，减少了载流子存储时间，从而降低了开关延迟和上升/下降时间，提升了整体系统响应速度。
　　该器件具有宽泛的直流电流增益（hFE），在150mA工作电流下可提供100至400的增益范围，确保了在不同负载条件下仍能维持稳定的放大能力。这种高且稳定的电流增益有助于简化外围偏置电路设计，减少对精密电阻的需求，从而降低整体BOM成本。同时，较高的hFE值意味着较小的基极驱动电流即可控制较大的集电极电流，这对于由微控制器GPIO直接驱动的应用尤为有利，能够减轻主控芯片的输出负担。
　　CPH6104-TL的低饱和压降特性进一步增强了其在低功耗应用中的竞争力。在Ic = 50mA且Ib = 5mA的工作条件下，其集电极-发射极饱和电压仅为0.25V，显著低于许多同类产品。这不仅减少了导通状态下的功率损耗，还有助于提升电源效率，延长电池使用寿命。此外，低Vce(sat)也意味着更少的热量产生，有利于改善热管理设计，特别是在紧凑型设备中尤为重要。
　　该晶体管采用SOT-23小型表面贴装封装，体积小巧，便于实现高密度PCB布局，适用于空间受限的设计场景。其封装材料具有良好的热稳定性和机械强度，能够承受回流焊等高温工艺。综合来看，CPH6104-TL凭借其高频特性、高增益、低饱和压降和小型化封装，成为现代电子系统中理想的通用NPN三极管解决方案。

CPH6104-TL常用于需要高速开关和低功耗特性的电子电路中。典型应用场景包括移动设备中的背光LED驱动电路，其中该晶体管作为开关元件控制LED阵列的亮灭，利用其快速响应能力和低导通损耗实现高效调光功能。在便携式电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，它被广泛用于电源路径管理、电池切换开关以及各类传感器接口电路。
　　在通信领域，CPH6104-TL可用于射频前端模块中的天线切换开关或信号路由选择器，借助其高频性能实现信号通路的快速切换而不引入明显衰减。此外，该器件也适用于音频放大电路中的前置放大级或缓冲级，尤其在低电压工作环境下仍能保持良好线性度和信噪比。
　　工业控制和自动化系统中，CPH6104-TL常作为微控制器输出信号的驱动级，用于驱动继电器、蜂鸣器或其他执行机构。其足够的电流驱动能力和可靠的开关特性确保了控制信号的准确传递。在消费类电子产品如电视遥控器、无线鼠标和键盘中，该晶体管用于红外发射驱动或无线信号调制电路，保障信号稳定发射。
　　此外，CPH6104-TL还适用于各类DC-DC升压或降压电路中的开关控制节点，配合电感和二极管构成基本拓扑结构，实现电压变换功能。其高fT和低存储时间特性有助于提高转换效率并减少电磁干扰。总之，该器件凭借其多功能性和可靠性，已成为众多嵌入式系统和模拟电路设计中的关键组件。

MMBT3904, PNP互补型号为CPH6204-TL, BC847B, FMMT415