容量：256MB（16M x 16位）
　　类型：同步DRAM（SDRAM）
　　封装：TSOP
　　工作电压：3.3V ± 0.3V
　　访问时间：5.4ns
　　时钟频率：166MHz
　　数据速率：166MHz
　　温度范围：-40°C 至 +85°C（工业级）
　　封装引脚数：54引脚
　　数据宽度：16位
　　刷新方式：自动刷新/自刷新
　　组织结构：4个Banks
　　突发长度：1, 2, 4, 8
　　突发类型：顺序或交错

HY57V281620HCT-5I 是一款高性能的同步DRAM芯片，具备出色的存取速度和稳定性。其同步操作模式使其能够与系统时钟保持同步，从而提高系统的整体性能。该芯片支持突发模式访问，允许连续访问多个内存位置，减少访问延迟，提高数据传输效率。此外，该芯片支持自动刷新和自刷新功能，确保数据在不频繁访问时仍能保持稳定。工业级温度范围使其适用于各种恶劣环境条件下的应用，如工业自动化、通信设备和网络设备等。
　　该芯片采用CMOS工艺制造，具有低功耗、高集成度和高可靠性等特点。其54引脚TSOP封装形式有助于减小PCB板的空间占用，适用于空间受限的设计。166MHz的时钟频率和166MHz的数据速率使其适用于需要高速数据处理的应用场景，例如高速缓存、图像处理和实时数据采集等。同时，该芯片支持多种突发长度和突发类型，提高了内存访问的灵活性和效率，满足不同系统需求。

HY57V281620HCT-5I 主要用于需要高速数据存取和较高稳定性的嵌入式系统、网络设备、通信设备和工业控制系统等领域。例如，在网络交换设备中，该芯片可以用于缓存高速传输的数据包；在工业控制设备中，它可以作为高速缓存或主存使用；在视频采集和图像处理设备中，该芯片能够提供快速的数据读写能力，支持高分辨率图像的实时处理。此外，该芯片也可用于高性能嵌入式处理器系统的外部存储器扩展，提升系统的运行效率和响应速度。

IS42S16200B-5BLI, MT48LC16M2A2B4-5A, K4S641632H-UC60