时间：2025/6/26 22:31:30
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PTVSHC1DF12VBH 是一款来自 Infineon（英飞凌）的高压 MOSFET，采用 SuperSO8 封装。这款器件专为高效率、高性能开关应用设计，广泛用于功率转换、负载切换和电机驱动等领域。它具有低导通电阻 (Rds(on)) 和高击穿电压的特点，能够显著降低功耗并提高系统可靠性。
类型：MOSFET
封装：SuperSO8
最大漏源电压 (Vds)：650 V
最大连续漏极电流 (Id)：1.4 A
导通电阻 (Rds(on))：1.3 Ω
栅极电荷 (Qg)：7 nC
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
PTVSHC1DF12VBH 的主要特性包括以下几点：
1. 高击穿电压：支持高达 650V 的漏源电压，适用于高电压应用场景。
2. 超低导通电阻：在典型条件下，其导通电阻仅为 1.3Ω，有助于降低传导损耗。
3. 快速开关性能：具备较低的栅极电荷 (7nC)，可实现高效高频开关操作。
4. 坚固耐用的设计：能够承受雪崩和短路情况下的高能量脉冲，提升系统的可靠性和鲁棒性。
5. 紧凑型封装：SuperSO8 封装提供良好的散热性能和较小的占位面积，适合空间受限的应用环境。
6. 宽工作温度范围：能够在 -55℃ 至 +150℃ 的极端温度范围内稳定运行，适应多种工业及汽车环境。
PTVSHC1DF12VBH 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)：
- 适配器与充电器
- 电池充电管理
2. 消费类电子产品：
- 笔记本电脑和台式机供电模块
- 家用电器中的负载控制
3. 工业设备：
- 工业自动化中的继电器替代
- LED 照明驱动
4. 汽车电子：
- 车载充电器
- 电动座椅和窗户控制
- 电机驱动与负载切换
PTVSHC1DF12V, BSC12HVN65C, IRLML6402TRPBF
