时间：2025/9/15 2:53:46
阅读：5
BSH102是一款由英飞凌（Infineon）公司推出的P沟道增强型功率MOSFET晶体管。该器件广泛用于低电压电源管理系统中，具有高效、低导通电阻和小型封装等特点，适用于负载开关、DC-DC转换器以及电池供电设备等应用。BSH102采用TSOP（Thin Small Outline Package）封装，具有良好的热性能和电气性能，适合在空间受限的电路设计中使用。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：-20V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：-4.3A（在VGS = -4.5V）
导通电阻（RDS(on)）：33mΩ（最大值，在VGS = -4.5V）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TSOP
BSH102作为一款P沟道MOSFET，具有出色的导通性能和快速开关特性。其低导通电阻（RDS(on)）确保在高电流应用中保持较低的功耗，提高系统效率。此外，该器件支持较高的栅极电压容忍度（±12V），允许使用更宽范围的驱动电压，增强其在不同电路环境中的适应性。TSOP封装不仅节省空间，而且具有良好的散热性能，适用于高密度PCB设计。BSH102还具备较高的可靠性和耐用性，能够在各种工业和消费类电子产品中稳定工作。其快速开关能力减少了开关损耗，适用于高频开关电源系统。
BSH102常用于多种低电压功率管理电路中，如便携式电子设备的电池供电系统、负载开关控制、DC-DC转换器、同步整流器、电源管理模块以及汽车电子中的辅助电源系统。由于其小型封装和高效性能，它也广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑及其他低功耗嵌入式系统。
Si2301DS, BSS84, FDN304P, IPD90P03P4S
