PTVS9B5VB是一种高性能的瞬态电压抑制二极管(TVS),主要用于保护敏感电子设备免受静电放电(ESD)、雷击浪涌和其他瞬态电压事件的影响。该器件具有低电容特性,适用于高速数据线路和射频应用。其单向结构使其适合于直流电源线和信号线的保护。
额定电压:5V
峰值脉冲电流:46A
箝位电压:8.4V
响应时间:小于1ps
结电容:0.4pF
漏电流:小于1μA
工作温度范围:-55℃至+150℃
PTVS9B5VB采用了先进的硅雪崩技术,具备极快的响应速度,能够有效地将瞬态电压限制在安全范围内,从而保护后端电路。其低结电容设计使得它非常适合高频或高速应用环境,不会对信号完整性产生显著影响。
此外,该器件的高浪涌承受能力确保了即使在恶劣环境下也能稳定运行,并且具有良好的重复使用性能,无需更换即可多次吸收瞬态能量。
PTVS9B5VB还通过了多项国际标准认证,如IEC 61000-4-2(ESD)和IEC 61000-4-5(浪涌),满足严格的工业和消费类电子产品要求。
PTVS9B5VB广泛应用于各种需要过压保护的场景中,例如USB接口、HDMI接口、以太网端口、无线通信模块、手机和笔记本电脑等便携式设备中的信号线保护。同时,它也适用于工业控制设备、汽车电子系统以及医疗仪器中的电源输入保护部分。
PMS130B5VB, SMBJ5.0A