PT8R1202ND 时间：2025/8/1 14:58:41 阅读：22

PT8R1202ND是一款由Prisemi（原PanJit Semiconductor）推出的低电压、低功耗、双通道MOSFET驱动器集成电路，广泛用于DC-DC转换器、电机驱动、电源管理和负载开关等应用。该器件采用CMOS工艺制造，具有高输出驱动能力和良好的热稳定性，适用于各种高效率电源系统设计。

参数

类型：MOSFET驱动器
　　通道数：2
　　工作电压范围：4.5V 至 18V
　　最大输出电流：0.3A（典型值）
　　传播延迟：15ns（典型值）
　　上升/下降时间：5ns（典型值）
　　封装类型：DFN-8
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C

特性

PT8R1202ND具备双通道高边和低边MOSFET驱动能力，支持宽电压范围（4.5V至18V）工作，适合多种电源转换拓扑结构使用。该器件的CMOS工艺确保了其在高频开关应用中的稳定性和低功耗表现。其传播延迟仅为15ns，上升和下降时间分别为5ns，使其非常适合用于高效率、高频DC-DC转换器。此外，PT8R1202ND具有较强的抗干扰能力和良好的热稳定性，可在-40°C至+125°C的工业级温度范围内可靠运行。DFN-8封装形式使其在PCB布局中占用空间小，并具备良好的散热性能。
　　PT8R1202ND的驱动能力强，能有效降低MOSFET的开关损耗，提高系统整体效率。其设计还包含欠压锁定（UVLO）保护功能，确保在输入电压不足时自动关闭输出，防止误操作和器件损坏。这些特性使该器件成为高效能电源管理系统的理想选择。