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SZESD7471N2T5G 发布时间 时间:2025/5/22 12:55:05 查看 阅读:3

SZESD7471N2T5G 是一款高性能的瞬态电压抑制二极管(TVS),专门用于保护电子设备免受静电放电(ESD)、感应雷击和其他瞬态过压事件的损害。该器件采用 SOT-23-2 封装,具有低电容、快速响应时间和高浪涌电流能力的特点,适用于高速数据线和信号线的保护。
  该芯片广泛应用于 USB、HDMI、以太网接口以及其他高速通信端口的保护场景。

参数

封装:SOT-23-2
  工作电压(VWM):5.8V
  击穿电压(VBR):6.8V
  最大箝位电压(VC):12.8V
  峰值脉冲电流(IPP):9.6A
  电容(C):10pF
  响应时间(typ):1ps
  结温范围:-55℃ 至 +150℃

特性

1. 超低电容设计,适合高速信号线保护。
  2. 快速响应时间,能够有效抑制瞬态电压尖峰。
  3. 高浪涌电流承受能力,确保在恶劣环境下的可靠性。
  4. 小型化封装,便于在空间受限的设计中使用。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且无铅。
  6. 工作温度范围宽,适应各种工业和消费类应用需求。

应用

1. USB 2.0/3.0 端口保护。
  2. HDMI 和 DisplayPort 接口保护。
  3. 以太网 PHY 和 RJ45 连接器保护。  5. 工业自动化系统中的通信总线保护。
  6. 消费类电子产品中的音频和视频信号线保护。

替代型号

PESD5V0R1B, SMAJ6.0A, SM712

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SZESD7471N2T5G参数

  • 现有数量35,719现货
  • 价格1 : ¥3.42000剪切带(CT)8,000 : ¥1.12904卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 类型齐纳
  • 单向通道-
  • 双向通道1
  • 电压 - 反向断态(典型值)5.3V(最大)
  • 电压 - 击穿(最小值)7V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)-
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000μs)-
  • 功率 - 峰值脉冲-
  • 电源线路保护
  • 应用汽车级,RF 天线
  • 不同频率时电容0.24pF @ 1MHz
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳2-XDFN
  • 供应商器件封装2-XDFN(1x0.6)(SOD-882)