时间：2025/12/5 20:36:24
阅读：22
MMZ1608B221CTDH5是一款由Murata（村田）制造的表面贴装多层陶瓷片式电感器（也称为铁氧体磁珠），专为高频噪声抑制而设计。该器件属于MMZ系列，广泛应用于各类电子设备中，用于消除不必要的电磁干扰（EMI）和射频干扰（RFI），从而提高系统的电磁兼容性（EMC）。其型号中的‘MMZ’代表Murata的铁氧体磁珠产品线，‘1608’表示其封装尺寸为1.6mm × 0.8mm（公制尺寸1608），‘B’表示阻抗特性曲线类型，‘221’代表标称阻抗值为220Ω（在100MHz时），‘C’表示内部电极材料为镍银（NiAg），‘TDH5’为特定的产品批次或编带包装规格。该磁珠采用多层陶瓷工艺制造，具有小型化、高可靠性、优良的高频特性和良好的温度稳定性，适用于便携式电子产品如智能手机、平板电脑、笔记本电脑以及通信模块等对空间和性能要求较高的应用场景。由于其优异的噪声抑制能力，常被用于电源线路、I/O接口线路、射频信号路径等位置，作为滤波元件来抑制共模或差模噪声。
产品类型：铁氧体磁珠
尺寸（公制）：1608
尺寸（英制）：0603
标称阻抗（100MHz）：220Ω
直流电阻（DCR）：最大1.1Ω
额定电流：500mA
工作温度范围：-55℃ ~ +125℃
阻抗特性分类：B型
电极结构：NiAg（镍银）
包装形式：编带（TDH5）
最小起订量：3000片/卷
MMZ1608B221CTDH5具备卓越的高频噪声抑制能力，其核心优势在于在宽频率范围内提供稳定的阻抗特性。在100MHz时，该磁珠的标称阻抗为220Ω，能够有效衰减高频干扰信号，尤其适用于GHz以下频段的EMI滤波应用。其B类阻抗曲线设计意味着它在较宽的频率范围内保持较高的电阻成分，从而将噪声能量以热能形式耗散，而不是反射回电路中，这有助于避免信号反射引起的振铃或谐振问题。这种损耗型滤波机制特别适合高速数字电路、射频前端模块以及敏感模拟电路的电源去耦和信号线滤波。
该器件采用多层陶瓷与铁氧体材料共烧工艺制造，确保了高度一致的电气性能和机械强度。其低直流电阻（DCR典型值低于1.1Ω）使得在通过额定电流（500mA）时产生的压降和功耗极小，不会显著影响电源效率或导致过热问题，因此非常适合用于电池供电设备的电源路径滤波。此外，其小型化封装（1.6×0.8×0.8mm）符合现代电子产品微型化趋势，能够在有限的PCB空间内实现高效的噪声抑制。
MMZ1608B221CTDH5具有良好的温度稳定性和长期可靠性，即使在-55℃至+125℃的极端工作环境下仍能维持稳定的电气性能。其镍银电极结构提供了优良的焊接可靠性和耐热冲击能力，支持回流焊和波峰焊等多种SMT工艺，便于自动化生产。该磁珠对湿度不敏感，符合IEC 60068和JIS C 5002等国际标准，且满足RoHS和REACH环保要求，适用于工业、消费电子及汽车电子等多种领域。
MMZ1608B221CTDH5广泛应用于各类需要高频噪声抑制的电子电路中。典型应用场景包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源线滤波，用于抑制开关电源（DC-DC转换器、LDO输出端）产生的高频纹波和噪声，防止其干扰射频模块或音频电路。此外，该磁珠常用于USB、HDMI、MIPI、LVDS等高速数据接口的信号线上，作为差模滤波元件，消除由快速上升沿引起的电磁辐射，提升信号完整性和系统EMC性能。
在无线通信设备中，该器件可用于Wi-Fi、蓝牙、GPS等射频前端电路的偏置供电线路中，隔离来自电源的干扰，保护低噪声放大器（LNA）和混频器等敏感组件。在数字逻辑电路中，如微处理器、FPGA或存储器的I/O引脚处，也可使用该磁珠进行局部滤波，减少串扰和地弹效应。此外，在汽车电子控制系统（如ADAS模块、车载信息娱乐系统）中，该磁珠帮助满足严苛的EMI认证要求。由于其高可靠性和小尺寸，也适用于医疗电子、工业传感器和物联网终端等对稳定性和空间利用率要求高的场合。
BLM18AG221SN1D
BRL1608T221K7
