时间：2025/7/12 15:25:04
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PST73130ESL是一款由英飞凌（Infineon）推出的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特点，适用于多种电力电子应用场合。
这款MOSFET主要针对消费电子、工业控制和通信电源等应用领域设计。通过其高效的电能转换能力，可帮助工程师实现更高的系统效率和更小的解决方案尺寸。
型号：PST73130ESL
封装：TO-263 (D2PAK)
Vds（漏源极电压）：30V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：4.5mΩ
Id（连续漏极电流）：80A
BVDSS（漏源击穿电压）：30V
栅极电荷（Qg）：25nC
最大功耗：209W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
PST73130ESL具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻Rds(on)，确保在高电流应用中减少功率损耗。
2. 高效的开关性能，适合高频开关应用，降低开关损耗。
3. 热稳定性强，能够在较宽的工作温度范围内可靠运行。
4. 具备良好的短路耐受能力，提升了系统的可靠性。
5. 封装形式为TO-263（D2PAK），便于安装且散热效果优良。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
PST73130ESL广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 消费类电子产品的负载开关。
4. 工业设备中的DC/DC转换器。
5. 电池管理系统的充放电控制。
6. 通信电源模块及汽车电子辅助系统。
由于其高性能表现，该芯片成为许多高效率电力转换应用的理想选择。
PST73130ESE, IRF7313, FDP7313
