类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：5.1A（在25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大85mΩ（在Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55℃～+150℃
　　封装形式：TSMT（热增强型表面贴装封装）

PQ2TZ51U的主要特性之一是其低导通电阻，这使得它在导通状态下的功率损耗较低，从而提高了整体系统效率。此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持在不同工作条件下稳定运行。
　　该器件采用TSMT封装，具有良好的散热性能，能够在高电流和高温环境下保持稳定。这种封装形式也有助于实现PCB上的紧凑布局，适用于空间受限的应用场景。
　　PQ2TZ51U的热增强功能使其在持续高负载运行时仍能保持较低的温升，提高了器件的可靠性和使用寿命。此外，其快速开关特性使其适用于高频DC-DC转换器和同步整流应用，有助于减小外围电感和电容的尺寸，提高电源系统的整体效率。
　　由于其优异的电气特性和热管理能力，PQ2TZ51U广泛应用于便携式电子设备、笔记本电脑、服务器电源管理、LED照明驱动电路以及各种类型的开关电源系统。

PQ2TZ51U适用于多种电源管理及功率控制应用，包括但不限于：DC-DC降压和升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电机驱动电路、LED照明驱动器、工业自动化控制电路以及各种高效率电源模块。
　　在DC-DC转换器中，PQ2TZ51U可作为主开关管或同步整流管使用，提供高效率和低损耗的开关性能；在负载开关应用中，它可作为高效的通断控制器件，实现对负载的快速响应和精确控制；在电池管理系统中，PQ2TZ51U可用于充放电路径的切换和保护控制，提高系统的稳定性和安全性。
　　此外，该MOSFET还可用于电机驱动中的H桥电路，实现电机的正反转控制；在LED照明驱动中，可用于调节LED的亮度和电流控制；在工业控制系统中，可作为功率开关用于继电器、执行器等负载的控制。

Si2302DS, AO4406, IRF7413, FDS6680