时间：2025/6/5 21:54:46
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PSMN038-100K 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用小尺寸封装 (LFPAK33)，广泛应用于需要高效能和低功耗的电路中。该器件适用于消费电子、工业设备以及通信设备等领域，能够提供高效率和低导通电阻的性能。
该芯片由 NXP Semiconductors 制造，其设计旨在减少系统功耗并提高整体效率。它特别适合于开关模式电源（SMPS）、DC-DC 转换器、负载开关以及其他需要高性能 MOSFET 的应用。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：7.6A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：21nC
总电容：950pF
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
PSMN038-100K 具有超低导通电阻 (Rds(on))，这使得它在高频开关应用中表现出色。同时，该器件采用了先进的铜夹片技术以实现更低的热阻和更优的电气性能。
此外，它还具有以下特点：
- 高效的开关性能
- 小型化的 LFPAK33 封装
- 极低的栅极电荷
- 符合 RoHS 标准
- 支持表面贴装工艺 (SMD)
这些特性使其成为众多电力电子应用的理想选择。
PSMN038-100K 可用于多种场景，包括但不限于以下领域：
- 开关模式电源 (SMPS) 和适配器
- DC-DC 转换器
- 负载开关和 OR-ing 二极管替代方案
- 电机驱动和控制电路
- 工业自动化设备中的电源管理模块
- 手机和平板电脑等便携式设备中的电池管理单元
其出色的性能和可靠性为设计者提供了灵活的设计选择。
PSMN037-100YS, PSMN039-100K
